恭喜美光科技公司何源获国家专利权
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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利具有分布式列存取的高处理量DRAM获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112397108B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010558808.7,技术领域涉及:G11C5/02;该发明授权具有分布式列存取的高处理量DRAM是由何源设计研发完成,并于2020-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有分布式列存取的高处理量DRAM在说明书摘要公布了:本发明涉及一种具有分布式列存取的高处理量DRAM。一种设备具有存储器裸片,所述存储器裸片具有划分成多个数据片段的存储器单元阵列。错调电路选择共同命令信号且设置列存取信号以基于所述共同命令信号及或个别命令信号选择要存取的数据片段以对所选择的数据片段执行对应于所选择的共同命令信号的存储器操作。数据总线连接所述存储器单元阵列以形成数据单元,其中每一数据单元包含来自每一存储器单元阵列的数据片段且经配置使得所述数据片段并联连接到所述数据总线并使用所述数据总线的相同线。所述错调电路经配置使得经识别用于在所述多个存储器裸片中的激活的数据片段不是相同数据单元的部分。
本发明授权具有分布式列存取的高处理量DRAM在权利要求书中公布了:1.一种半导体设备,其包括:多个存储器裸片,每一存储器裸片具有:至少一个存储器单元阵列,其经划分成多个数据片段,所述多个数据片段经配置以被选择性地存取,及错调电路,其经配置以从多个共同命令信号选择共同命令信号且经配置以设置列存取信号或个别命令信号中的至少一者,所述列存取信号基于所述共同命令信号及所述个别命令信号选择要存取的数据片段以对所选择的数据片段执行对应于所选择的共同命令信号的存储器操作;数据总线,其连接所述至少一个存储器单元阵列中的每一者以形成多个数据单元,每一数据单元包含来自每一存储器单元阵列的数据片段,其中每一数据单元中的所述数据片段并联连接到所述数据总线且使用所述数据总线的相同线;及命令信号电路,其连接到所述多个存储器裸片中的每一错调电路且经配置以生成所述多个共同命令信号,其中所述错调电路进一步经配置使得所述所选择的数据片段不是相同数据单元的部分。
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