买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114156173B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010936588.7，技术领域涉及：H01L21/308；该发明授权半导体结构及其形成方法是由李强;苏波设计研发完成，并于2020-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底上具有待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成第一牺牲层和第二牺牲层，且所述第一牺牲层内掺杂有离子，所述第二牺牲层内未掺杂有离子；在部分所述第一牺牲层和第二牺牲层上形成第三牺牲层；图案化所述第一牺牲层、第二牺牲层以及第三牺牲层；转移图案在所述待刻蚀层。所述方法有利于在去除第一区上的第二牺牲层的过程中，对第一牺牲层造成的过刻蚀程度较小，有利于所述图形转移的准确度。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上具有待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成第一牺牲层和第二牺牲层，且所述第一牺牲层内掺杂有离子，所述第二牺牲层内未掺杂有离子；在部分所述第一牺牲层和第二牺牲层上形成第三牺牲层；图案化所述第一牺牲层、第二牺牲层以及第三牺牲层；转移图案在所述待刻蚀层；所述第一牺牲层的厚度范围为300埃至600埃；所述待刻蚀层包括相邻的第一区和第二区；分别在所述第一区和第二区上形成若干所述第二牺牲层，且相邻所述第二牺牲层之间具有所述第一牺牲层；所述半导体结构的形成方法还包括：图案化所述第一牺牲层、第二牺牲层以及第三牺牲层之后，转移图案在所述待刻蚀层之前，去除所述第二区上的第一牺牲层，在所述第二区上相邻第二牺牲层之间形成开口；在所述开口侧壁表面形成掩膜层，且所述掩膜层的厚度大于所述第一牺牲层的厚度；形成所述掩膜层之后，去除所述第一区和第二区上的第二牺牲层；以所述掩膜层和第一区上的第一牺牲层为掩膜，刻蚀所述待刻蚀层，转移图案在所述待刻蚀层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。