恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司张田田获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114242688B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010942641.4，技术领域涉及：H01L23/528；该发明授权半导体器件及其形成方法是由张田田设计研发完成，并于2020-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供基底，在基底上形成介质层；刻蚀所述介质层，在所述介质层内形成接触孔，暴露出所述基底表面；在所述接触孔底部暴露出的所述基底的表面形成金属硅化物层和阻挡层，所述阻挡层覆盖所述金属硅化物层的表面；形成位于所述阻挡层表面的插塞层，所述插塞层填充满所述接触孔；利用阻挡层将金属硅化物层与插塞层进行分离，避免金属硅化物层与插塞层中的扩散离子进行反应而对插塞层造成的损伤，从而提高了形成的插塞层质量，使得形成的半导体器件的电学性能和使用性能都得到提高。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：基底，所述基底包括源漏掺杂层；介质层，位于所述基底上；接触孔，位于所述介质层内，底部暴露出所述源漏掺杂层的表面；金属硅化物层，位于所述接触孔底部的所述源漏掺杂层的表面，所述金属硅化物为位于所述接触孔底部暴露出的所述基底表面的金属层与所述基底之间相互作用形成；阻挡层，位于所述金属硅化物层的表面，所述阻挡层为残留的金属层与位于所述金属层表面的反应层的反应产物，所述反应层的材料为硅烷、硅或者钴；所述阻挡层的材料为钛-硅合金或者钴-钛合金；插塞层，位于阻挡层上且填充满所述接触孔。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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