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龙图腾网恭喜松山湖材料实验室;中国科学院物理研究所申请的专利低氮晶硅太阳能电池片酸抛光方法及其抛光液获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114267583B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010976332.9，技术领域涉及：H01L21/306；该发明授权低氮晶硅太阳能电池片酸抛光方法及其抛光液是由张小虎;刘尧平;陈伟;肖川;王燕;杜小龙设计研发完成，并于2020-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本低氮晶硅太阳能电池片酸抛光方法及其抛光液在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低氮晶硅太阳能电池片酸抛光方法及其抛光液，将扩散后的制绒片放置于酸抛光液中，在温度5℃～45℃下刻蚀30s～240s，对所述制绒片的绒面进行抛光处理，使绒面上形成有直径为2～8微米的凹坑和底边边长为2～8微米，高度为0.1～1.5微米的塔丘，提升绒面平整度。本发明提供的低氮晶硅太阳能电池片酸抛光方法相较于常规酸抛工艺，氮含量显著降低，废液处理成本低，对环保压力小，与太阳能电池产线刻蚀工艺兼容，无需新增抛光设备，降低成本，且工艺简单，抛光效果好，相比常规酸抛结构的粗糙度要低，平整度更高，提升钝化效果和反射率，有效提升电池开压和背面反射，增加短路电流，提升了电池效率。

本发明授权低氮晶硅太阳能电池片酸抛光方法及其抛光液在权利要求书中公布了：1.一种低氮晶硅太阳能电池片酸抛光方法，其特征在于，其包括以下步骤：1预备扩散后的制绒片，该制绒片上具有布满有金字塔形貌结构的绒面，金字塔形貌结构的底边长1～5微米，高度为0.7～3.5微米；2配置酸抛光液：依次将氟离子源、氯离子源以及氧化剂混合搅拌均匀，获得酸抛光液，其中所述氟离子源的浓度为1molL～20molL，氯离子源的浓度为0.1molL～8molL，氧化剂的浓度为0.1molL～8.5molL；3抛光：将扩散后的制绒片放置于酸抛光液中，在温度5℃～45℃下刻蚀30s～240s，对所述制绒片的绒面进行抛光处理，使绒面上形成有直径为2～8微米的凹坑和底边边长为2～8微米，高度为0.1～1.5微米的塔丘，提升绒面平整度；4清洗：抛光完毕的制绒片进行下一槽体清洗；所述步骤2的酸抛光液中还加入与其质量比为100:0.1～5的添加剂；所述添加剂由以下质量分数比组分组成：0.2～5质量份十二烷基苯磺酸钠、0.2～2质量份硅酸钠、0.5～3质量份柠檬酸钠和100质量份水；或所述添加剂由以下质量分数比组分组成：0.5～5质量份十二烷基硫酸钠、0.2～2质量份硅酸钠、0.5～2质量份苄基三甲基氯化铵、1～3质量份柠檬酸钠和100质量份水。

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