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龙图腾网恭喜原子能和替代能源委员会申请的专利高灵敏度的电磁辐射检测部件及用于制造这种部件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114945810B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080092575.4，技术领域涉及：G01J5/02；该发明授权高灵敏度的电磁辐射检测部件及用于制造这种部件的方法是由让-雅克·约恩;安托万·阿尔布伊设计研发完成，并于2020-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本高灵敏度的电磁辐射检测部件及用于制造这种部件的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种电磁辐射λ的检测部件1，该检测部件包括检测结构100和用于检测结构100的供电电路350。检测结构100包括与吸收元件相关联的晶体管，以在电磁辐射λ的吸收期间检测吸收元件的温度的增加。供电电路350被构造成在运行期间向检测结构100供电，使得该结构的沟道区113在第一面或第二面上具有层114，在该层中，第二导电类型的载流子与源区111和漏区112的第一导电类型的载流子相反，该层114被称为阻挡层。本发明还涉及一种用于制造这种部件的方法。

本发明授权高灵敏度的电磁辐射检测部件及用于制造这种部件的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于检测电磁辐射λ的部件1，所述部件包括检测结构100和用于所述检测结构100的供电电路350，所述检测结构100包括：-至少一个吸收元件，所述至少一个吸收元件被构造成吸收所述电磁辐射，-与所述吸收元件相关联的晶体管，所述晶体管用于在所述电磁辐射λ被吸收时检测所述吸收元件的温度的上升，所述晶体管包括：○至少一个第一半导体区域111和至少一个第二半导体区域112，所述第一半导体区域被称为源区，所述第二半导体区域被称为漏区，所述至少一个第一半导体区域和所述至少一个第二半导体区域各自具有第一导电类型，○至少一个第三半导体区域113，所述第三半导体区域被称为沟道区，所述至少一个第三半导体区域将所述源区和所述漏区彼此分开，所述至少一个第三半导体区域具有第一面和第二面，所述第一面和所述第二面为相对的面，所述第一面和所述第二面在所述源区与所述漏区之间延伸，○第一栅极电极121，所述第一栅极电极被布置成与所述沟道区的所述第一面相对，以使所述沟道区偏置，所述第一栅极电极121通过第一栅介质层131与所述沟道区分开，○第二栅极电极125，所述第二栅极电极被布置成与所述沟道区的所述第二面相对，以使所述沟道区偏置，所述第二栅极电极125通过第二栅介质层135与所述沟道区分开，其中，所述供电电路350被构造成通过连接到所述检测结构100的所述源区、所述漏区、以及所述第一栅极电极121和所述第二栅极电极125来向这些区域中的每一个供电，其中，所述供电电路350被构造成在运行中向所述检测结构100供电，使得所述沟道区在所述第一面和所述第二面中的一个的位置处具有层114，在所述层中，与所述第一导电类型相反的第二导电类型的载流子占优势，所述层114被称为阻挡层。

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