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龙图腾网恭喜安靠科技新加坡控股私人有限公司申请的专利半导体装置和制造半导体装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113192922B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011486758.2，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权半导体装置和制造半导体装置的方法是由郑季洋;张胜哲;骆·休莫勒设计研发完成，并于2020-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置和制造半导体装置的方法在说明书摘要公布了：半导体装置和制造半导体装置的方法。在一个实例中，一种电子组合件包括第一半导体装置和第二半导体装置。所述第一半导体装置和所述第二半导体装置中的每一个包括：衬底，所述衬底包括顶表面和导电结构；电子组件，所述电子组件处于所述衬底的所述顶表面之上；介电材料，所述介电材料处于所述衬底的所述顶表面之上并且接触所述电子组件的一侧；衬底接片，所述衬底接片处于衬底的一端处并且未被所述介电材料覆盖，其中所述衬底的所述导电结构在所述衬底接片处暴露；以及互连件，所述互连件电耦接到所述第一半导体装置的所述衬底接片处的所述导电结构和所述第二半导体装置的所述衬底接片处的所述导电结构。本文中还公开了其它实例和相关方法。

本发明授权半导体装置和制造半导体装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种电子组合件，其包括：第一半导体装置和第二半导体装置，其中所述第一半导体装置和所述第二半导体装置中的每一个包括：衬底，所述衬底包括顶表面和导电结构；电子组件，所述电子组件处于所述衬底的所述顶表面之上；介电材料，所述介电材料处于所述衬底的所述顶表面之上并且接触所述电子组件的一侧；以及衬底接片，所述衬底接片处于衬底的第一端处并且未被所述介电材料覆盖，其中所述衬底的所述导电结构在所述衬底接片处暴露；互连件，所述互连件电耦接到所述第一半导体装置的所述衬底接片处的所述导电结构和所述第二半导体装置的所述衬底接片处的所述导电结构；以及基础结构，所述基础结构包括顶表面，其中所述第一半导体装置处于所述基础结构的所述顶表面之上，并且所述第二半导体装置处于所述基础结构的所述顶表面之上；其中所述第一半导体装置和所述第二半导体装置并排位于所述基础结构的所述顶表面上，并且所述第一半导体装置的所述衬底的所述第一端朝向所述第二半导体装置的所述衬底的所述第一端。

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