恭喜台湾积体电路制造股份有限公司张永丰获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成芯片及其设计和制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113284886B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110014641.2，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权集成芯片及其设计和制造方法是由张永丰;杨宝如;张育荣;李宗吉;谢东衡;许峻嘉设计研发完成，并于2021-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成芯片及其设计和制造方法在说明书摘要公布了：集成芯片的有源器件区上的多段线的阵列延伸，以在相邻的隔离区域上形成伪器件结构。所得的伪器件结构是具有与有源器件区上的多段线的阵列相同的线宽度、线间距和节距的多段线的阵列。伪器件结构的多段线与有源器件区上的多段线在网格上。由于伪器件结构由与有源器件区上的多段线在网格上的多段线形成，所以伪器件结构可以比可能的情况更接近有源器件区。伪器件结构与有源器件区的所得接近度提高了抗凹陷性能，并且减小集成芯片上的空白空间。本发明的实施例涉及集成芯片及其设计和制造方法。
本发明授权集成芯片及其设计和制造方法在权利要求书中公布了：1.一种集成芯片，包括：半导体衬底，包括第一有源器件区、第二有源器件区、第三有源器件区以及伪器件区；线性部件的第一阵列，在所述第一有源器件区上方延伸并且具有第一线间距和第一线宽度；线性部件的第二阵列，在所述第二有源器件区上方延伸并且具有第二线间距和第二线宽度；线性部件的第三阵列，在所述第三有源器件区上方延伸并且具有第三线间距和第三线宽度；以及第一伪器件结构和第二伪器件结构，设置在所述伪器件区上并且在所述伪器件区的相当部分上方延伸，其中，所述第一伪器件结构延伸在所述第一有源器件区及所述第二有源器件区之间，而所述第二伪器件结构延伸在所述第一有源器件区及所述第三有源器件区之间；其中，所述第一伪器件结构是具有所述第一线间距和所述第一线宽度的线性部件的第四阵列。
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