恭喜中国科学院合肥物质科学研究院梁勖获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院合肥物质科学研究院申请的专利一种产生脉冲信号的电路及产生脉冲信号的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112769415B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110050020.X,技术领域涉及:H03K3/02;该发明授权一种产生脉冲信号的电路及产生脉冲信号的方法是由梁勖;施阳杰;林颖;徐一帆设计研发完成,并于2021-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种产生脉冲信号的电路及产生脉冲信号的方法在说明书摘要公布了:本发明涉及高压脉冲信号领域,具体是涉及一种产生脉冲信号的电路及产生脉冲信号的方法。该电路包括串联的第一开关组件、第二开关组件和充放电容,用于给充放电容供电的电源,以及与第二开关组件并联的负载电阻;第一开关组件和第二开关组件均由触发信号控制启闭状态;负载电阻两端的电压用于产生脉冲信号。本发明将负载电阻与IGBT晶体管并联,可以去除IGBT晶体管上的电荷对负载电阻的干扰。因此,本发明通过充放电容在负载电阻上产生的高压脉冲信号的上升沿和下降沿均具有较大的陡度,更接近于矩形高压脉冲信号,以便于更好得应用于肿瘤的治疗。
本发明授权一种产生脉冲信号的电路及产生脉冲信号的方法在权利要求书中公布了:1.一种产生脉冲信号的电路,其特征在于:该电路包括串联的第一开关组件1、第二开关组件2和充放电容C0,用于给充放电容C0供电的电源,以及与第二开关组件2并联的负载电阻R0;所述第一开关组件1和第二开关组件2均由触发信号控制启闭状态;所述负载电阻R0两端的电压用于产生脉冲信号;所述第一开关组件1包括第一开关单元11,第一开关单元11包括第一晶体管Q1,与第一晶体管Q1并联的用于防止第一晶体管Q1被击穿的第一保护组件;所述第二开关组件2包括第二开关单元21,所述第二开关单元21包括第二晶体管Q2,与第二晶体管Q2并联的用于防止第二晶体管Q2被击穿的第二保护组件;所述第一晶体管Q1、第二晶体管Q2和充放电容C0构成串联,所述负载电阻R0与第二晶体管Q2并联;所述第一晶体管Q1的电性参数和第二晶体管Q2的电性参数相同,所述第一保护组件的电性参数与第二保护组件的电性参数相同;所述第一开关单元11的数量和第二开关单元21的数量相等,所述第一开关单元11中的各个第一晶体管Q1与第二开关单元21中的各个第二晶体管Q2构成串联电路;所述第一保护组件包括串联的第二电阻R2和第一电容C1,以及与第二电阻R2和第一电容C1并联的第一电阻R1;所述第一晶体管Q1为第一IGBT晶体管,所述第一IGBT晶体管的C极与第一电阻R1的一端以及第二电阻R2的一端均连接,所述第二电阻R2的另一端与第一电容C1的一端相连接,所述第一电阻R1的另一端以及第一电容C1的另一端均与第一IGBT晶体管的E极相连接,所述第一IGBT晶体管的G极用于接入触发信号trig_1;所述第二保护组件包括串联的第四电阻R4和第二电容C2,以及与第四电阻R4和第二电容C2并联的第三电阻R3;所述第二晶体管Q2为第二IGBT晶体管,所述第二IGBT晶体管的C极与第四电阻R4的一端以及第三电阻R3的一端相连接,所述第四电阻R4的另一端与第二电容C2的一端相连接,所述第三电阻R3的另一端以及第二电容C2的另一端均与第二IGBT晶体管的E极相连接,所述第二IGBT晶体管的G极用于接入触发信号trig_2;所述第一IGBT晶体管的E极与第二IGBT晶体管的C极相连接。
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