恭喜中国科学院微电子研究所李博获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院微电子研究所申请的专利一种用于SRAM芯片的安全系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114792532B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110099158.9,技术领域涉及:G11C5/14;该发明授权一种用于SRAM芯片的安全系统是由李博;苏泽鑫;宿晓慧;王磊;卜建辉;赵发展;韩郑生设计研发完成,并于2021-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于SRAM芯片的安全系统在说明书摘要公布了:本发明涉及一种用于SRAM芯片的安全系统,属于SRAM存储器技术领域,解决了现有技术不能准确衡量SRAM芯片的老化程度、不能给出老化程度安全示警的问题。该系统包括:压印力度检测模块,用于启动后自动检测待测SRAM芯片的压印力度,判断其安全性能是否达标,不达标时输出压印超阈值信号至控制模块;控制模块,用于定时控制压印力度检测模块启动;以及,根据接收到的压印超阈值信号自动生成匹配校验信息至主机,根据主机的回复信息判断校验是否成功;如果成功,拒绝校验之后主机发出的所有对该SRAM的擦除指令;如果失败,利用寄生电源模块提供的电能对该SRAM芯片的存储信息进行擦除;寄生电源模块,用于为控制模块的上述擦除操作提供电能。
本发明授权一种用于SRAM芯片的安全系统在权利要求书中公布了:1.一种用于SRAM芯片的安全系统,其特征在于,包括:压印力度检测模块,用于启动后自动检测待测SRAM芯片的压印力度,判断其安全性能是否达标,不达标时输出压印超阈值信号至控制模块;控制模块,用于定时控制压印力度检测模块启动;以及,根据接收到的压印超阈值信号自动生成匹配校验信息至主机,根据主机的回复信息判断校验是否成功;如果成功,拒绝校验之后主机发出的所有对该SRAM芯片的擦除指令;如果失败,利用寄生电源模块提供的电能对该SRAM芯片的存储信息进行擦除;寄生电源模块,用于为控制模块的上述擦除操作提供电能;所述控制模块进一步包括依次连接的:使能子模块,用于定时控制压印力度检测模块启动;以及,接收压印力度检测模块发出的压印超阈值信号,并转发至握手子模块,并对握手子模块反馈的回复信息进行分析,如果匹配校验成功,拒绝校验之后主机发出的所有对该SRAM芯片的擦除指令,如果匹配校验失败,发出擦除信号至擦除子模块;握手子模块,用于接收到使能子模块发出的压印超阈值信号后,启动与主机的握手,根据所述压印超阈值信号的有效值自动生成匹配校验信息至主机;以及,接收主机反馈的回复信息,转发至使能子模块;擦除子模块,用于接收到擦除信号后,利用寄生电源模块提供的电能对SRAM进行数据擦除操作。
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