恭喜台湾积体电路制造股份有限公司宋巍巍获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利光学系统及用于制造光学连接器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114114551B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110107703.4，技术领域涉及：G02B6/30；该发明授权光学系统及用于制造光学连接器件的方法是由宋巍巍;陈建宏;周淳朴;斯帝芬·鲁苏;徐敏翔设计研发完成，并于2021-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本光学系统及用于制造光学连接器件的方法在说明书摘要公布了：公开了具有不同的光学连接器件构造的光学系统及其制造方法。光学系统包括：衬底；波导，设置在衬底上；光纤，光学连接至波导；以及光学连接器件，设置在光纤和波导之间。光学连接器件配置成将光纤光学连接至波导。光学连接器件包括设置在衬底上的介电层、设置在介电层内的第一水平面中的半导体渐缩结构、以及设置在介电层内的第二水平面中的多尖端介电结构。第一水平面和第二水平面彼此不同。本申请的实施例提供了光学系统及用于制造光学连接器件的方法。
本发明授权光学系统及用于制造光学连接器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种光学系统，包括：衬底；波导，设置在所述衬底上；光纤，光学连接至所述波导；以及光学连接器件，设置在所述光纤和所述波导之间，并且配置成将所述光纤光学连接至所述波导，其中，所述光学连接器件包括设置在所述衬底上的介电层、设置在所述介电层内的第一水平面中的半导体渐缩结构、以及设置在所述介电层内的第二水平面中的多尖端介电结构的一维阵列，其中，所述半导体渐缩结构包括面向所述光纤的半导体尖端和面向所述波导的半导体基底，所述半导体渐缩结构形成在所述多尖端介电结构的一个上方且与所述多尖端介电结构的所述一个接触，其中，所述第一水平面和所述第二水平面彼此不同。
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