恭喜西安紫光国芯半导体股份有限公司王嵩获国家专利权
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龙图腾网恭喜西安紫光国芯半导体股份有限公司申请的专利存储芯片和3D存储芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823615B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110127413.6，技术领域涉及：H01L23/528；该发明授权存储芯片和3D存储芯片是由王嵩;李晓骏;任奇伟设计研发完成，并于2021-01-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储芯片和3D存储芯片在说明书摘要公布了：本申请实施例通过提供一种存储芯片和3D存储芯片，解决了现有存储芯片寄生电阻电容大、使用硅通孔技术而带来的制造成本高、RC延迟大，功耗大，散热差的问题。上述存储芯片，包括相互堆叠的存储部分和控制部分，上述存储部分与上述控制部分通过混合键合方式相连接。上述混合键合方式为通过金属导体使上述存储部分的连接焊盘和上述控制部分的连接焊盘相连接。
本发明授权存储芯片和3D存储芯片在权利要求书中公布了：1.一种存储芯片，其特征在于，包括：相互堆叠的存储部分和控制部分，所述存储部分与所述控制部分通过混合键合方式相连接，其中，所述混合键合方式为通过金属导体使所述存储部分的连接焊盘和所述控制部分的连接焊盘相连接；所述控制部分包括控制部分芯片，所述存储部分包括存储部分芯片，所述控制部分芯片和或所述存储部分芯片包括设置在芯片金属层内的金属层穿孔组件，其中，所述金属层穿孔组件中的孔为非贯穿孔；所述金属层穿孔组件包括第一导体件、靠近衬底层的第二导体件和导体连接孔，所述第一导体件与所述第二导体件之间设置有导体连接孔，所述第二导体件通过所述导体连接孔连接于所述第一导体件，以使信号能够通过所述衬底层传输至所述第一导体件；所述第一导体件为所述连接焊盘；所述第二导体件为所述连接焊盘；所述存储部分芯片和或所述控制部分芯片背离所述金属导体的一侧设置有连接焊盘；所述存储部分设置有存储阵列，所述存储芯片的功能电路设置在所述控制部分。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安紫光国芯半导体股份有限公司，其通讯地址为：710075 陕西省西安市高新区丈八街办高新六路38号A座4楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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