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龙图腾网恭喜富泰华工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114843274B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110139336.6，技术领域涉及：H10B41/00；该发明授权半导体装置是由陈中怡设计研发完成，并于2021-02-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：一种半导体装置包括多个存储单元。每个存储单元包括层叠结构、阻挡层、浮栅层、隧道介电层及通道层。层叠结构包括至少一个控制层、至少一个擦除层以及至少一个介电层。阻挡层与控制层共面设置，浮栅层收容于所述阻挡层内，且通过阻挡层与控制层绝缘设置。隧道介电层覆盖阻挡层和浮栅层的一侧。通道层位于隧道介电层的一侧。擦除层用于在执行数据读出与写入操作时施加预定电压，以使得通道层串联阻值降低，以利于半导体装置的快速导通。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括多个存储单元；每个所述存储单元包括：层叠结构，其包括至少一个控制层、至少一个擦除层以及至少一个介电层；阻挡层，与所述控制层共面设置；浮栅层，收容于所述阻挡层内，且通过所述阻挡层与所述控制层绝缘设置；隧道介电层，覆盖所述阻挡层和所述浮栅层的一侧；通道层，位于所述隧道介电层的一侧；其中，所述擦除层与所述控制层之间通过所述介电层隔离；所述擦除层与所述浮栅层之间通过所述介电层隔离；在与所述通道层延伸方向垂直的第二方向上，所述阻挡层、所述隧道介电层以及所述通道层呈环形结构，所述隧道介电层设于所述通道层的外侧，所述层叠结构设置于所述隧道介电层的外侧；所述控制层、所述擦除层以及所述介电层沿所述通道层延伸方向层叠设置；在沿所述通道层延伸方向上，所述浮栅层与所述擦除层部分重叠设置；所述擦除层在执行数据读出及写入操作时施加预定电压，使得所述通道层串联阻值降低，以利于所述半导体装置的快速导通。

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