恭喜台湾积体电路制造股份有限公司吴俊毅获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件和结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113380746B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110149016.9，技术领域涉及：H01L23/488；该发明授权半导体器件和结构及其制造方法是由吴俊毅;余振华设计研发完成，并于2021-02-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和结构及其制造方法在说明书摘要公布了：一种半导体器件，包括再分布结构，该再分布结构包括：导电部件；介电层；以及在该介电层的第一介电层内的内部支撑件，其中，内部支撑件没有无源器件和有源器件；第一互连结构，附接到再分布结构的第一侧；第二互连结构，附接到再分布结构的第一侧，其中，第二互连结构横向邻近第一互连结构，其中，内部支撑件与第一互连结构和第二互连结构横向重叠。本发明的实施例还涉及半导体结构及其制造方法。
本发明授权半导体器件和结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：一种再分布结构，包括：多个导电部件；多个介电层；以及所述多个介电层中的第一介电层内的内部支撑件，其中，所述内部支撑件没有无源器件和有源器件；第一互连结构，附接到所述再分布结构的第一侧；第二互连结构，附接到所述再分布结构的所述第一侧，其中，所述第二互连结构横向邻近所述第一互连结构，其中，所述内部支撑件与所述第一互连结构和所述第二互连结构横向重叠。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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