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龙图腾网恭喜意法半导体(鲁塞)公司申请的专利EEPROM存储器设备和对应方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113223595B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110179558.0，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权EEPROM存储器设备和对应方法是由F·塔耶;M·巴蒂斯塔设计研发完成，并于2021-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本EEPROM存储器设备和对应方法在说明书摘要公布了：本公开涉及EEPROM存储器设备和对应方法。电可擦除可编程只读存储器类型的存储器设备包括写入电路装置，写入电路装置被设计为：响应于接收到用于写入在存储器平面的至少一个选中存储器字中的至少一个选中字节的命令，进行写入操作，写入操作包括跟随有编程周期的擦除周期，并且写入电路装置被配置用于在擦除周期期间：在至少一个选中存储器字的所有字节的存储器单元中生成擦除电压，并且生成擦除禁止电位，擦除禁止电位相对于擦除电压被配置，以防止擦除至少一个选中存储器字的未选中字节的存储器单元，该未选中字节不是至少一个选中字节。

本发明授权EEPROM存储器设备和对应方法在权利要求书中公布了：1.一种电可擦除可编程只读存储器设备，包括：矩阵存储器平面，以存储器字的行和列布置，每个存储器字包括数个字节的存储器单元；写入电路装置，被配置成：响应于接收到用于写入在所述矩阵存储器平面的至少一个选中存储器字中的至少一个选中字节的命令，执行写入操作，其中所述写入操作包括跟随有编程周期的擦除周期，其中所述写入电路装置被配置用于：在所述擦除周期期间：在所述至少一个选中存储器字的所有字节的存储器单元中生成擦除电压，其中所述擦除电压被配置成使得所述至少一个选中存储器字的所述存储器单元被擦除，以及生成擦除禁止电位，所述擦除禁止电位相对于所述擦除电压被配置，以防止所述至少一个选中存储器字的未选中字节的存储器单元的擦除；以及在所述编程周期期间，在所述至少一个选中存储器字的至少一个未选中字节的先前被编程的存储器单元中生成编程电压；以及读取电路装置，所述读取电路装置被配置用于：在所述写入操作期间并且在所述擦除周期之前，读取在所述至少一个选中存储器字的所述至少一个未选中字节的所述存储器单元中包含的数据。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体(鲁塞)公司，其通讯地址为：法国鲁塞；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。