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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利光阻剂组成物与制造半导体装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113314402B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110214175.2，技术领域涉及：H01L21/027；该发明授权光阻剂组成物与制造半导体装置的方法是由陈彦豪;赖韦翰;张庆裕设计研发完成，并于2021-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本光阻剂组成物与制造半导体装置的方法在说明书摘要公布了：制造半导体装置的方法包含在基板上形成包含光阻剂组成物的光阻层。光阻剂组成物包含光活性化合物、聚合物与交联剂。聚合物具有结构：交联剂包含从以下选出的结构：‑B1‑OH、‑B2‑ORa、‑B3‑NH2、‑B4‑NR2与A1、A2、A3、B1、B2、B3、B4与D各自为C1至C30的芳基、烷基、环烷基、羟烷基、烷氧基、烷氧基烷基、乙酰基、乙酰基烷基、羧基、烷基羧基、环烷基羧基、碳氢环、杂环基、链、环、立体结构；R1、R2与Ra为C4至C15的链、环、立体结构的的烷基、环烷基、羟烷基、烷氧基或烷氧基烷基，聚合物中的x、y与z比例为0≤xx+y+z≤1、0≤yx+y+z≤1且0≤zx+y+z≤1，且在同一个聚合物中，x、y与z皆不为0。

本发明授权光阻剂组成物与制造半导体装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包含：形成包含光阻剂组成物的光阻层于基板上；选择性地在光化辐射下曝光该光阻层，以形成潜在图案；及藉由施加显影剂至选择性曝光的该光阻层，来显影该潜在图案以形成图案化光阻层，其中该光阻剂组成物包含：光活性化合物；聚合物；及交联剂，其中该聚合物具有一结构： 其中A1、A2各自为被取代或未被取代的C6至C30的芳基、C1至C30的烷基、C3至C30的环烷基、C1至C30的羟烷基、C2至C30的烷氧基、C3至C30的烷氧基烷基、C2至C30的乙酰基、C3至C30的乙酰基烷基、C1至C30的羧基、C2至C30烷基羧基、C4至C30的环烷基羧基、饱和或不饱和的C3至C30碳氢环、饱和或不饱和的C1至C30的杂环基或C1至C30的链、环或立体结构，其中A3为被取代或未被取代的C1至C30的烷基、C1至C30的羟烷基、C2至C30的烷氧基、C3至C30的烷氧基烷基、C2至C30的乙酰基、C3至C30的乙酰基烷基、C4至C30的环烷基羧基、饱和或不饱和的C1至C30的杂环基或C1至C30的链或立体结构，其中R1为被取代或未被取代的C4至C15的链、环或立体结构的烷基、C4至C15的环烷基、C4至C15的羟烷基、C4至C15的烷氧基或C4至C15的烷氧基烷基，其中在该聚合物中的x、y与z的一比例为0≤xx+y+z≤1、0≤yx+y+z≤1且0≤zx+y+z≤1，且在同一个聚合物中，x、y与z皆不为0，其中该交联剂为一单体、寡聚物或聚合物，且该单体、寡聚物或聚合物包含一或多个从以下选出的多个结构：-B1-OH-B2-ORa-B3-NH2-B4-NR2 其中B1、B2、B3、B4与D各自为被取代或未被取代的C6至C30的芳基、C1至C30的烷基、C3至C30的环烷基、C2至C30的羟烷基、C2至C30的烷氧基、C3至C30的烷氧基烷基、C2至C30的乙酰基、C3至C30的乙酰基烷基、C1至C30的羧基、C2至C30烷基羧基、C4至C30的环烷基羧基、饱和或不饱和的C3至C30碳氢环、饱和或不饱和的C1至C30的杂环基或C1至C30的链、环或立体结构，且其中R与Ra各自为被取代或未被取代的C4至C15的链、环或立体结构的烷基、C4至C15的环烷基、C4至C15的羟烷基、C4至C15的烷氧基或C4至C15的烷氧基烷基。

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