恭喜爱思开海力士有限公司吴星来获国家专利权
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龙图腾网恭喜爱思开海力士有限公司申请的专利具有三维结构的半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203667B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110366848.6，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权具有三维结构的半导体装置是由吴星来;朴商佑设计研发完成，并于2021-04-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有三维结构的半导体装置在说明书摘要公布了：本公开提供一种具有三维结构的半导体装置，该半导体装置包括：第一晶圆，第一晶圆包括在其一个表面上的第一接合焊盘；第二晶圆，第二晶圆包括在其接合至第一晶圆的所述一个表面的一个表面上的接合至第一接合焊盘的第二接合焊盘；多个防翘曲凹槽，多个防翘曲凹槽在第一晶圆的所述一个表面上，并且被布置为条形形状；以及多个防翘曲肋部，多个防翘曲肋部在第二晶圆的所述一个表面上，多个防翘曲肋部分别联接至多个防翘曲凹槽，并且被布置为条形形状。
本发明授权具有三维结构的半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种具有三维结构的半导体装置，该半导体装置包括：第一晶圆，所述第一晶圆包括在所述第一晶圆的一个表面上的第一接合焊盘；第二晶圆，所述第二晶圆包括在所述第二晶圆的接合至所述第一晶圆的所述一个表面的一个表面上的第二接合焊盘，所述第二接合焊盘接合至所述第一接合焊盘；多个防翘曲凹槽，所述多个防翘曲凹槽在所述第一晶圆的所述一个表面上，并且被布置为条形形状；以及多个防翘曲肋部，所述多个防翘曲肋部在所述第二晶圆的所述一个表面上，并且分别联接至所述多个防翘曲凹槽，并且所述多个防翘曲肋部被布置为条形形状。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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