恭喜台湾积体电路制造股份有限公司薛琇文获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成芯片和形成集成芯片的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113206061B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110399545.4，技术领域涉及：H01L23/528；该发明授权集成芯片和形成集成芯片的方法是由薛琇文;陈启平;黄柏翔;曾雅晴设计研发完成，并于2021-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成芯片和形成集成芯片的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种集成芯片。该集成芯片包括设置在衬底上方的层间介电ILD结构内的第一互连件。势垒层沿着所述ILD结构的侧壁设置。该势垒层具有在所述第一互连件上方限定开口的侧壁。第二互连件设置在该势垒层上。所述第二互连件延伸穿过该势垒层中的开口且至第一互连件。本申请的实施例还涉及形成集成芯片的方法。
本发明授权集成芯片和形成集成芯片的方法在权利要求书中公布了：1.一种集成芯片，包括：第一互连件，设置在衬底上方的层间介电结构内；势垒层，沿着所述层间介电结构的侧壁设置且具有在所述第一互连件上方限定开口的侧壁；以及第二互连件，设置在所述势垒层上，其中所述第二互连件延伸穿过所述势垒层中的所述开口且延伸至所述第一互连件，并且其中所述势垒层的最底表面横向延伸经过所述势垒层的面向所述第二互连件的内侧壁，其中，所述第二互连件包括第一衬垫，所述第一衬垫布置在所述势垒层上且环绕导电内部，其中，所述第一衬垫的底部具有沿着所述势垒层横向延伸的第一部分以及延伸穿过所述势垒层中的所述开口的第二部分，其中，所述第一部分与所述第二部分的厚度不同。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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