恭喜台湾积体电路制造股份有限公司杨柏峰获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113380806B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110408842.0，技术领域涉及：H10B53/30；该发明授权半导体芯片是由杨柏峰;杨世海;林佑明;张志宇;贾汉中设计研发完成，并于2021-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体芯片在说明书摘要公布了：提供了包括半导体衬底、互连结构和存储器单元阵列的半导体芯片。半导体衬底包括逻辑电路。互连结构设置在半导体衬底上并且电连接至逻辑电路，并且互连结构包括堆叠的层间介电层和嵌入在堆叠的层间介电层中的互连布线。存储器单元阵列嵌入在堆叠的层间介电层中。存储器单元阵列包括驱动晶体管和存储器器件，并且存储器器件通过互连布线电连接至驱动晶体管。
本发明授权半导体芯片在权利要求书中公布了：1.一种半导体芯片，包括：半导体衬底，包括第一晶体管；互连结构，设置在所述半导体衬底上方并且电连接至所述第一晶体管，所述互连结构包括堆叠的层间介电层、互连布线和嵌入在所述堆叠的层间介电层中的第二晶体管；以及存储器器件，嵌入在所述堆叠的层间介电层中并且电连接至所述第二晶体管，其中，所述第二晶体管包括设置在第一水平高度处的第一组第二晶体管和设置在与所述第一水平高度不同的第二水平高度处的第二组第二晶体管，并且其中，所述存储器器件包括设置在第三水平高度处的第一组存储器器件和设置与所述第三水平高度不同的第四水平高度处的第二组存储器器件，其中，在所述互连结构中，所述存储器器件的层和所述第二晶体管的层对应设置，并且所述第三水平高度在所述第一水平高度和所述第二水平高度之间，所述第四水平高度在所述第二水平高度上方，其中，所述互连布线包括通孔，两个所述通孔分别设置在每个所述存储器器件的两个相对侧旁边并穿过两个垂直相邻堆叠的层间电介质层以电连接对应的一个所述第二晶体管。
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