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龙图腾网恭喜力旺电子股份有限公司申请的专利具多阶型存储器胞阵列的非易失性存储器及编程控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114360616B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110668224.X，技术领域涉及：G11C17/16；该发明授权具多阶型存储器胞阵列的非易失性存储器及编程控制方法是由张家福;古惟铭;陈英哲设计研发完成，并于2021-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本具多阶型存储器胞阵列的非易失性存储器及编程控制方法在说明书摘要公布了：具多阶型存储器胞阵列的非易失性存储器及编程控制方法。该非易失性存储器包括一存储器胞阵列、一电流供应电路、一路径选择电路、一验证电路与一控制电路。在一验证动作的一采样区间时，该控制电路控制该电流供应电路提供n个第M参考电流至该n个验证元件，并转换为n个参考电压。在该验证动作的一验证区间时，该控制电路控制一选定行的n个多阶型存储器胞产生n个存储器胞电流至该n个验证元件，并转换为n个感测电压。该n个验证元件根据对应的该参考电压与对应的该感测电压，产生该n个验证信号，使得该控制电路决定该n个多阶型存储器胞是否到达一第M存储状态。

本发明授权具多阶型存储器胞阵列的非易失性存储器及编程控制方法在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储器，包括：存储器胞阵列，包括m×n个多阶型存储器胞，连接至m条字线以及n条位线，其中每一该多阶型存储器胞可为X种存储状态其中之一，且X大于等于4；电流供应电路；路径选择电路，连接至该电流供应电路以及该n条位线，其中该路径选择电路包括n个路径选择器，且该n个路径选择器连接至该电流供应电路与对应的该n条位线；验证电路，连接至该路径选择电路，其中该验证电路包括n个验证元件连接至对应的该n个路径选择器，用以产生n个验证信号；以及控制电路，接收该n个验证信号；其中，在验证动作的采样区间时，该控制电路控制该电流供应电路提供n个第M参考电流至该n个路径选择器，经由该n个路径选择器传递至该n个验证元件，并转换为n个参考电压；其中，在该验证动作的验证区间时，该控制电路控制选定行的n个多阶型存储器胞产生n个存储器胞电流，经由该n条位线与该n个路径选择器传递至该n个验证元件，并转换为n个感测电压；其中，该n个验证元件根据对应的该参考电压与对应的该感测电压，产生该n个验证信号，使得该控制电路决定该n个多阶型存储器胞是否到达第M存储状态，其中m、n、M与X为正整数，M小于等于X。

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