恭喜中国科学院微电子研究所邢国忠获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院微电子研究所申请的专利一种磁阻存储器单元、写控制方法及存算模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113744779B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110922939.3，技术领域涉及：G11C11/409；该发明授权一种磁阻存储器单元、写控制方法及存算模块是由邢国忠;刘龙;王迪;林淮;刘明设计研发完成，并于2021-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种磁阻存储器单元、写控制方法及存算模块在说明书摘要公布了：本发明公开了一种磁阻存储器单元、写控制方法及存算模块，其中，磁阻存储器单元包括：第一磁隧道结、第二磁隧道结和金属层；第一磁隧道结和第二磁隧道结均设置在金属层上；金属层被配置为用于通过写电流，第一磁隧道结的易轴在金属层所在平面与写电流所在方向呈第一角度，第二磁隧道结的易轴沿金属层所在平面与写电流所在方向呈第二角度，第一角度和第二角度相对于写电流所在方向的偏转方向相反；第一磁隧道结和第二磁隧道结被配置为用于通过读电流。本发明磁阻存储器单元可实现无外加磁场辅助的全电控的超快磁化翻转，有利于大规模集成，且在读取信息时可通过自参考机制实现读取，提高读取裕度，进而增强读可靠性，降低读延时。
本发明授权一种磁阻存储器单元、写控制方法及存算模块在权利要求书中公布了：1.一种磁阻存储器单元，其特征在于，包括：第一磁隧道结、第二磁隧道结和金属层；所述第一磁隧道结和所述第二磁隧道结均设置在所述金属层上；所述金属层被配置为用于通过写电流，所述第一磁隧道结的易轴在所述金属层所在平面与所述写电流所在方向呈第一角度，所述第二磁隧道结的易轴沿所述金属层所在平面与所述写电流所在方向呈第二角度，所述第一角度和所述第二角度相对于所述写电流所在方向的偏转方向相反；所述第一磁隧道结和所述第二磁隧道结被配置为用于通过读电流；所述第一角度和所述第二角度的大小范围为：30°～60°。
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