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龙图腾网恭喜上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利抗软错误的SRAM获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113851177B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111151645.1，技术领域涉及：G11C29/08；该发明授权抗软错误的SRAM是由刘中阳;肖军设计研发完成，并于2021-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本抗软错误的SRAM在说明书摘要公布了：本发明公开了一种抗软错误的SRAM的SRAM存储单元具有双重互锁结构，包括：共源连接的第一和第二NMOS管并由第一和第二NMOS管提供互锁的第一和第二存储节点，共源连接的第一和第二PMOS管并由第一和第二PMOS管提供互锁的第三和第四存储节点，共漏连接的第五MOS晶体管的栅极和源极连接在同相的第一和第三存储节点之间，共漏连接的第六MOS晶体管的栅极和源极连接在同相的第二和第四存储节点之间；共源连接的第七MOS晶体管的栅极和漏极连接在反相的第一和第四存储节点之间；共源连接的第八MOS晶体管的栅极和漏极连接在反相的第二和第三存储节点之间，第五至第八MOS晶体管都为NMOS管。本发明能容忍一个节点电位发生翻转，且能降低工作电压。

本发明授权抗软错误的SRAM在权利要求书中公布了：1.一种抗软错误的SRAM，其特征在于，SRAM存储单元具有双重互锁结构，包括：共源连接的第一NMOS管和第二NMOS管，所述第一NMOS管的漏极为第一存储节点，所述第二NMOS管的漏极为第二存储节点，所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极都接地，所述第一NMOS管的栅极连接所述第二存储节点，所述第二NMOS管的栅极连接所述第一存储节点，所述第一存储节点和所述第二存储节点互为反相；共源连接的第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一PMOS管的漏极为第三存储节点，所述第二PMOS管的漏极为第四存储节点，所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极都接地，所述第一PMOS管的栅极连接所述第四存储节点，所述第二PMOS管的栅极连接所述第三存储节点，所述第三存储节点和所述第四存储节点互为反相；共漏连接的第五MOS晶体管的栅极和源极连接在同相的所述第一存储节点和所述第三存储节点之间，使所述第一存储节点和所述第三存储节点形成源极跟随关系；共漏连接的第六MOS晶体管的栅极和源极连接在同相的所述第二存储节点和所述第四存储节点之间，使所述第二存储节点和所述第四存储节点形成源极跟随关系；共源连接的第七MOS晶体管的栅极和漏极连接在反相的所述第一存储节点和所述第四存储节点之间；共源连接的第八MOS晶体管的栅极和漏极连接在反相的所述第二存储节点和所述第三存储节点之间；所述第五MOS晶体管、所述第六MOS晶体管、所述第七MOS晶体管和所述第八MOS晶体管都为NMOS管。

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