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龙图腾网恭喜成都中科微信息技术研究院有限公司申请的专利一种GaN功放负栅压偏置保护电路及其工作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113992164B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111262952.7，技术领域涉及：H03F1/52；该发明授权一种GaN功放负栅压偏置保护电路及其工作方法是由卜智勇;张龙才设计研发完成，并于2021-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaN功放负栅压偏置保护电路及其工作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种GaN功放负栅压偏置保护电路及其工作方法，所述GaN功放负栅压偏置保护电路包括电源模块、AMC芯片U1、反向放大器U2、逻辑与门U3、耗尽型GaN功放管T1、PMOS功率开关管T2和NMOS开关管T3。本发明通过AMC芯片U1输出负栅压，并采用反向放大器U2钳位至高电平，然后利用逻辑与门U3使得反向放大器U2输出的钳位至高电平的正电压与5G移动通信业务级TDD时序电平均为高电平时才输出高电平，再配合PMOS功率开关管T2和NMOS开关管T3，实现5G移动通信TDD时序级控制GaN功放管在开启与关闭两个状态下的快速切换，达到降低功耗且不干扰接收通道的目的。

本发明授权一种GaN功放负栅压偏置保护电路及其工作方法在权利要求书中公布了：1.一种GaN功放负栅压偏置保护电路，其特征在于，包括电源模块、AMC芯片U1、反向放大器U2、逻辑与门U3、耗尽型GaN功放管T1、PMOS功率开关管T2和NMOS开关管T3；AMC芯片U1内部具有能够产生负栅压的双极DAC单元；电源模块连接AMC芯片U1的电源输入端口；AMC芯片U1的SPI输入端口用于连接控制单元的SPI控制总线输出端口；AMC芯片U1的输出端口一方面经电阻R1连接反向放大器U2的反向输入端，另一方面经电阻R10和扼流圈choke1连接耗尽型GaN功放管T1的栅极，同时GaN功放管T1的栅极还输入有射频输入信号Rfin；反向放大器U2的反向输入端经电阻R3连接反向放大器U2的输出端口，反向放大器U2的正向输入端经电阻R2接地，反向放大器U2的正电源端口对接正压电源VDD，反向放大器U2的负电源端口对接负压电源VSS；逻辑与门U3的第一输入端口连接5G移动通信业务级TDD时序电平输出端口，逻辑与门U3的第二输入端口连接反向放大器U2的输出端口，逻辑与门U3的输出端口经电阻R4连接NMOS开关管T3的栅极；NMOS开关管T3的源极接地，NMOS开关管T3的漏极连接电阻R5的输入端口；电阻R5的输出端口一方面连接PMOS功率开关管T2的栅极，另一方面连接电阻R6的输入端口；PMOS功率开关管T2的源极连接48V电源；PMOS功率开关管T2的源极和48V电源之间的电性连接点与电阻R6的输出端口连接；PMOS功率开关管T2的漏极经扼流圈choke2连接耗尽型GaN功放管T1的漏极，同时耗尽型GaN功放管T1的漏极还输出射频输出信号RFout；耗尽型GaN功放管T1的源极接地。

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