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龙图腾网恭喜上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利一种抗软错误的锁存器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114142835B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111441398.9，技术领域涉及：H03K3/356；该发明授权一种抗软错误的锁存器是由刘中阳;肖军设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抗软错误的锁存器在说明书摘要公布了：本发明提供一种抗软错误的锁存器，由四对反相器的NMOS和PMOS管的栅极相互连接构成互锁环路、四个传输门、一个双输入穆勒C单元构成。当时钟信号CLK为高电平时，传输门开启，当任意存储节点发生错误翻转时，错误信号不被储存。双输入穆勒C单元关闭，防止输出受到影响的同时减小动态功耗。当时钟信号CLK为低电平时，锁存器处于锁存模式，第一至第三传输门关闭，第四传输门开启，节点S2和和S4作为双输入穆勒C单元的输入，到达输出端，数据持续稳定地从所述输出端传出。本发明通过特殊的内部存储节点反馈结构，使锁存器具有抗单粒子翻转的能力，通过使用高速传输门技术，具有非常低的延时，在保证优秀的抗单粒子能力的同时，电路性能大幅提升。

本发明授权一种抗软错误的锁存器在权利要求书中公布了：1.一种抗软错误的锁存器，其特征在于，至少包括：第一至第四反相器；第一至第四传输门；一个双输入穆勒C单元；所述第一至第四反相器分别由一个NMOS和一个PMOS串联而成，其中所述第一反相器由第一PMOS的漏极连接第一NMOS的漏极形成；所述第二反相器由第二PMOS的漏极连接第二NMOS的漏极形成；所述第三反相器由第三PMOS的漏极连接第三NMOS的漏极形成；所述第四反相器由第四PMOS的漏极连接第四NMOS的漏极形成；所述第一PMOS的漏极与所述第一NMOS的漏极连接的节点S1连接在所述第二PMOS的栅极、所述第四NMOS的栅极以及所述第一传输门的数据输出端；所述第二PMOS的漏极与所述第二NMOS的漏极连接的节点S2连接在所述第一NMOS的栅极、所述第三NMOS的栅极以及所述双输入穆勒C单元的第一输入端；所述第三PMOS的漏极与所述第三NMOS的漏极连接的节点S3连接在所述第二NMOS的栅极、第二传输门的数据输出端、以及所述第四PMOS的栅极；所述第四PMOS的漏极与所述第四NMOS的漏极连接的节点S4连接在所述第三PMOS的栅极、第一PMOS的栅极以及所述双输入穆勒C单元的第二输入端；所述双输入穆勒C单元由第五、第六PMOS和第五、第六NMOS组成，其中所述第五、第六PMOS首尾串联、第五、第六NMOS首尾串联，并且所述第六PMOS的漏极连接于所述第六NMOS的漏极，该连接节点M连接在所述第四传输门的数据输入端；所述第一至第三传输门的数据输入端相互连接；所述第三传输门的数据输出端连接于所述第四传输门的输出端，该输出端作为所述锁存器的输出节点Q。

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