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龙图腾网恭喜甬矽电子(宁波)股份有限公司申请的专利半导体封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256169B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111500686.7，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权半导体封装结构及其制备方法是由何正鸿;徐玉鹏;李利;张超;钟磊设计研发完成，并于2021-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明的实施例提供了一种半导体封装结构及其制备方法，涉及半导体封装技术领域，通过在基底载板上设置半导体器件，并设置包覆在半导体器件外的塑封体，然后在半导体器件上设置第一转接板和第二转接板，其中，塑封体上开设有贯通至半导体器件的第一凹槽和第二凹槽，第一转接板和第二转接板分别贴装在第一凹槽和第二凹槽内，其中第一转接板和第二转接板设置有第一焊球和第二焊球，半导体器件同时与第一转接板和第二转接板电连接，通过设置转接板实现布线结构，后期产品维修更换时只需要对转接板进行处理即可，方便可靠。同时通过转接板上的焊球实现外接电路，而转接板可以提前制备，其焊球尺寸以及占用空间可以做的更小，无疑使得整个产品的尺寸得以降低，有利于产品的小型化。

本发明授权半导体封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：基底载板；设置在所述基底载板上的半导体器件；设置在所述基底载板上，并包覆在所述半导体器件外的塑封体；设置在所述半导体器件上的第一转接板和第二转接板；其中，所述塑封体上开槽形成有贯通至所述半导体器件的第一凹槽和第二凹槽，所述第一转接板和所述第二转接板分别贴装在所述第一凹槽和所述第二凹槽内，所述第一转接板远离所述半导体器件的一侧设置有多个第一焊球，所述第二转接板远离所述半导体器件的一侧设置有第二焊球，所述半导体器件同时与所述第一转接板和所述第二转接板电连接；所述第一转接板和所述第二转接板均提前制备，所述第一转接板与所述半导体器件之间设置有第一粘胶层，以使所述第一转接板贴附在所述半导体器件的表面；所述第二转接板与所述半导体器件之间设置有第二粘胶层，以使所述第二转接板贴附在所述半导体器件的表面，所述第一粘胶层和所述第二粘胶层均为热塑性胶膜层。

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