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龙图腾网恭喜浙江大学申请的专利一种厚膜材料纳米图形刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114604820B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210225160.0，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种厚膜材料纳米图形刻蚀方法是由徐杨;曹小雪;吴少雄;彭蠡设计研发完成，并于2022-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种厚膜材料纳米图形刻蚀方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种厚膜材料纳米图形刻蚀方法，将几十纳米厚度薄膜材料转移到衬底上半导体、聚合物、玻璃等，采用电子束光刻技术在薄膜表面刻蚀纳米量级图形，EBL胶采用上下两种不同得胶形成倒梯形结构。然后采用电子束蒸发，蒸镀一层铝金属薄膜，利用丙酮剥离，ICP感应耦合等离干法刻蚀刻蚀薄膜，200℃通氯气，去除表面铝，即可得到不同线宽的薄膜结构，线宽最小可达到百纳米量级。本发明可以刻蚀几十纳米厚度的薄膜，解决了图形化刻蚀纳米量级薄膜只能刻蚀单层或少层二维材料的问题。

本发明授权一种厚膜材料纳米图形刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种厚膜材料纳米图形刻蚀方法，其特征在于，具体步骤如下：（1）将薄膜材料转移到衬底上；所述薄膜材料为宏观组装石墨烯纳米薄膜；或者溴、氯化钼、氯化铜或二硫化钼掺杂的宏观组装石墨烯纳米薄膜；所述衬底包含：半导体、玻璃或聚合物；（2）旋涂AR-P669.04，600r10s+6000r60s，之后烘箱150℃条件下烘1h，再旋涂AR-P679.03，600r10s+6000r60s，之后热板150℃条件下烘3min；曝光之后形成倒梯形结构，利于后续的金属剥离工艺；（3）在旋涂后的薄膜材料上进行电子束光刻图形，电子束光刻图形的线宽尺寸最小为100nm；（4）光刻图形的表面电子束蒸镀铝膜，铝膜厚度为50nm；（5）丙酮剥离，去除有电子束胶部分的铝，之后进行ICP刻蚀；（6）200℃条件下，使用氯气去除表面电子束蒸镀铝薄膜，得到刻蚀后的薄膜结构，薄膜厚度为几十纳米，薄膜阵列图形的线宽为100纳米。

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