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龙图腾网恭喜北京大学;华为技术有限公司申请的专利电荷消除电路模块、MRAM存储单元读出电路及存储系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114639404B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210232804.9，技术领域涉及：G11C5/14；该发明授权电荷消除电路模块、MRAM存储单元读出电路及存储系统是由叶乐;薛畅;张奕涵;陈沛毓;朱明伟;武蒙;黄如设计研发完成，并于2022-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本电荷消除电路模块、MRAM存储单元读出电路及存储系统在说明书摘要公布了：本发明公开一种电荷消除电路模块、MRAM存储单元读出电路及存储系统。该读出电路包括第一位线电容、第二位线电容、位线电荷消除模块、耦合放大模块、耦合电荷消除模块、比较锁存模块，位线电荷消除模块可以将待比较的两条位线放电至相同的低电平或充电至相同的高电平，耦合放大模块不仅能将其两个输入端放电至相同的低电平，也能将输入端的信号放大，耦合电荷消除模块可以将耦合放大模块两个输出端放电至相同的低电平或充电至相同的高电平，防止了预充后两个节点电容上的电荷差、连接两个节点电容的两条支路的失配误差和上一次读出完成后的节点电容上的残余电荷对读出准确率的影响。

本发明授权电荷消除电路模块、MRAM存储单元读出电路及存储系统在权利要求书中公布了：1.一种电荷消除电路模块，用于对电路模块的第一端和第二端之间的电压差进行消除，其特征在于，包括：电荷归零单元和电荷平均单元，所述电荷归零单元由三个MOS晶体管构成，用于当放电信号控制的三个栅极打开时将第一端和第二端的电压拉至相同的低电平；所述电荷平均单元由三个传输门构成，用于当传输门控制信号使能时将第一端和第二端的电压升至相同的高电平；三个传输门的正控制端接控制信号，反控制端接控制信号的反相信号，其中两个传输门的输入端连接高电平，输出端对应连接第一端和第二端，另一传输门的输入端和输出端对应连接第一端和第二端；所述三个MOS晶体管均为NMOS晶体管，三个NMOS晶体管的栅极连接同一放电信号，其中两个NMOS晶体管的漏极对应连接第一端和第二端，源极均接地，另一NMOS晶体管的源极和漏极对应连接第一端和第二端。

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