恭喜北京燕东微电子科技有限公司代佳获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜北京燕东微电子科技有限公司申请的专利一种电性测试结构以及包含其的晶圆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823628B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210333665.9，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权一种电性测试结构以及包含其的晶圆是由代佳;张小麟;张欣慰;万姗姗设计研发完成，并于2022-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电性测试结构以及包含其的晶圆在说明书摘要公布了：本发明公开一种电性测试结构以及包含其的晶圆。本发明实施例的电性测试结构包括：衬底，包括分别沿行和列方向排布的第一有源区，在行方向上第一有源区的宽度各不相同；形成在第一有源区上方的沿列方向排列的栅极结构，在列方向上栅极结构的宽度各不相同并且栅极结构在行方向上延伸从而与行方向上的第一有源区在衬底上的投影交叠形成MOS管，交叠区两侧的第一有源区分别构成MOS管的源极和漏极；源极测试垫，同一行的源极电连接到同一源极测试垫；漏极测试垫，同一列的漏极电连接到同一漏极测试垫；栅极测试垫，每个栅极结构电连接到对应的栅极测试垫；衬极，设置在MOS管所在区域之外；衬极测试垫，衬极电连接到衬极测试垫。
本发明授权一种电性测试结构以及包含其的晶圆在权利要求书中公布了：1.一种电性测试结构，其特征在于，包括：衬底，包括分别沿行和列方向排布的第一有源区，其中在行方向上所述第一有源区的宽度各不相同；形成在所述第一有源区上方的沿列方向排列的栅极结构，其中在列方向上所述栅极结构的宽度各不相同并且所述栅极结构在所述行方向上延伸从而与行方向上的第一有源区在所述衬底上的投影交叠形成MOS管，其中交叠区两侧的第一有源区分别构成所述MOS管的源极和漏极；源极测试垫，同一行的源极电连接到同一源极测试垫；漏极测试垫，同一列的漏极电连接到同一漏极测试垫；栅极测试垫，每个栅极结构电连接到对应的栅极测试垫；衬极，设置在所述MOS管所在区域之外；衬极测试垫，所述衬极电连接到所述衬极测试垫。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京燕东微电子科技有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区经海四路51号院1号楼5层516；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号