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龙图腾网恭喜上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利存储器结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114743980B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210412974.5，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权存储器结构及其形成方法是由李冰寒;于涛设计研发完成，并于2022-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种存储器结构及其形成方法，存储器结构包括：衬底；位于衬底上且相互分立的若干复合结构，相邻复合结构之间具有第一开口，复合结构包括第一导电结构、位于第一导电结构两侧的浮栅结构、位于浮栅结构上的擦除栅结构、位于擦除栅结构上的第一隔离结构、第二隔离结构、以及第三隔离结构，第二隔离结构位于第一导电结构与浮栅结构、擦除栅结构和第一隔离结构之间，第三隔离结构位于第一隔离结构、擦除栅结构和浮栅结构的侧壁面，且第一开口的内壁面暴露出第三隔离结构的侧壁面和衬底的表面；位于衬底内的若干相互独立的源极掺杂区，源极掺杂区与第一导电结构及浮栅结构的底面接触；位于第一开口内的字线结构。从而，提高了存储器结构的性能和集成度。

本发明授权存储器结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器结构，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上且相互分立的若干复合结构，相邻的所述复合结构之间具有第一开口，所述复合结构包括第一导电结构、位于所述第一导电结构两侧的浮栅结构、位于所述浮栅结构上的擦除栅结构、位于所述擦除栅结构上的第一隔离结构、第二隔离结构、以及第三隔离结构，所述第二隔离结构位于所述第一导电结构与所述浮栅结构、擦除栅结构和第一隔离结构之间，所述第三隔离结构位于所述第一隔离结构、擦除栅结构和浮栅结构的侧壁面，并且，所述第一开口的内壁面暴露出所述第三隔离结构的侧壁面和所述衬底的表面；位于所述衬底内的若干相互独立的源极掺杂区，所述源极掺杂区与所述第一导电结构及所述浮栅结构的底面接触；位于所述第一开口内的字线结构；其中，所述擦除栅结构包括：隧穿介电层、以及位于所述隧穿介电层上的擦除栅极；与所述第三隔离结构相邻的所述擦除栅结构的侧壁中，所述擦除栅极的侧壁相对所述隧穿介电层的侧壁凹陷。

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