恭喜无锡麟聚半导体科技有限公司刘桂芝获国家专利权
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龙图腾网恭喜无锡麟聚半导体科技有限公司申请的专利基于掺锰量子点的电泵浦激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114759434B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210420487.3，技术领域涉及：H01S5/34；该发明授权基于掺锰量子点的电泵浦激光器及其制备方法是由刘桂芝;马丙乾;霍晓强;何云设计研发完成，并于2022-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于掺锰量子点的电泵浦激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于掺锰量子点的电泵浦激光器及其制备方法，电泵浦激光器包括透光基板、分布反馈光栅层、第一导电注入层、CdS:MnZnS核壳量子点层、第二导电注入层及反射电极层；其中，CdS:MnZnS核壳量子点层作为光增益介质，因Mn2+离子的6A1态到4T1态没有吸收跃迁，从而该量子点在Mn2+离子的发射波长只有发射没有吸收，发射的能量来源于CdS核带边态的转移，因此通过Mn2+离子的发射可实现零阈值的光增益，从而基于CdS:MnZnS核壳量子点配以器件结构可获得零阈值和高发射强度的电泵浦激光器。
本发明授权基于掺锰量子点的电泵浦激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于掺锰量子点的电泵浦激光器，其特征在于：所述电泵浦激光器包括自下而上叠置的透光基板、分布反馈光栅层、第一导电注入层、CdS:MnZnS核壳量子点层、第二导电注入层及反射电极层；其中，CdS:MnZnS核壳量子点包括表面吸附了Mn2+离子的CdS核及包覆Mn2+离子及CdS核的ZnS壳。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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