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恭喜上海航天技术基础研究所陈凡获国家专利权

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龙图腾网恭喜上海航天技术基础研究所申请的专利定量评估铝基板表面微弧氧化膜散热性和绝缘性的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114894837B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210477013.2,技术领域涉及:G01N25/20;该发明授权定量评估铝基板表面微弧氧化膜散热性和绝缘性的方法是由陈凡;杜林;赵立有;张超;陈龙;王昆黍设计研发完成,并于2022-05-02向国家知识产权局提交的专利申请。

定量评估铝基板表面微弧氧化膜散热性和绝缘性的方法在说明书摘要公布了:本发明的定量评估铝基板表面微弧氧化膜散热性和绝缘性的方法包括:制备微弧氧化膜厚度不同的铝合金基板作为标定基板;表征铝合金基板表面微弧氧化膜厚度与铝合金基板绝缘性能的关系;在各标定基板上封装LED芯片制得标定样品;采用瞬态热阻法测试各标定样品的热阻;根据微分函数曲线确定微弧氧化膜厚度与微弧氧化膜热阻的独立关系;根据微弧氧化膜厚度、微弧氧化膜热阻和铝合金基板绝缘性能的关系,判定微弧氧化膜的安全厚度范围。本发明解决了现有技术既无法独立评估铝基板表面微弧氧化膜厚度对微弧氧化膜热阻的影响,又没有确定微弧氧化膜最小临界厚度的问题。

本发明授权定量评估铝基板表面微弧氧化膜散热性和绝缘性的方法在权利要求书中公布了:1.定量评估铝基板表面微弧氧化膜散热性和绝缘性的方法,其特征在于,包括:制备微弧氧化膜厚度不同的铝合金基板作为标定基板;表征铝合金基板表面微弧氧化膜厚度与铝合金基板绝缘性能的关系;在各标定基板上封装LED芯片制得标定样品;采用瞬态热阻法测试各标定样品的热阻;根据微分函数曲线确定微弧氧化膜厚度与微弧氧化膜热阻的独立关系;根据微弧氧化膜厚度、微弧氧化膜热阻和铝合金基板绝缘性能的关系,判定微弧氧化膜的安全厚度范围;所述表征铝合金基板表面微弧氧化膜厚度与铝合金基板绝缘性能的关系包括:标定各标定基板微弧氧化膜的厚度;检测各标定基板的击穿电压,确定微弧氧化膜厚度与铝合金基板绝缘性能的关系;所述根据微分函数曲线确定微弧氧化膜厚度与微弧氧化膜热阻的独立关系包括:叠加各标定样品的微分函数曲线,不同微弧氧化膜厚度的标定样品对应的LED芯片热阻相同;对应的锡铅焊料热阻相同;对应的微弧氧化膜热阻不同,随着微弧氧化膜厚度增大,微弧氧化膜热阻增大,50μm~100μm范围内微弧氧化膜热阻的增长幅度大于10μm~50μm范围内微弧氧化膜热阻的增长幅度;对应的铝合金基材、导热硅脂和散热Cu块冷板热阻之和相同;对应的标定样品总热阻不同,随着微弧氧化膜厚度增大,标定样品总热阻增大;任意两种微弧氧化膜厚度不同的标定样品,标定样品总热阻之差等于微弧氧化膜热阻之差。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人上海航天技术基础研究所,其通讯地址为:201109 上海市闵行区元江路3888号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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