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龙图腾网恭喜渤海大学申请的专利一种变频器供电永磁屏蔽电机屏蔽套损耗获取方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114781178B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210508655.4，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种变频器供电永磁屏蔽电机屏蔽套损耗获取方法是由李明;伦淑娴;任大卫;刘勇东;杨东升设计研发完成，并于2022-05-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种变频器供电永磁屏蔽电机屏蔽套损耗获取方法在说明书摘要公布了：本发明涉及永磁屏蔽电机技术领域，尤其涉及一种变频器供电永磁屏蔽电机屏蔽套损耗获取方法。可以有效解决屏蔽套损耗计算需要实测电流波形数据问题，此外，该方法在考虑屏蔽套谐波损耗时不采用叠加法，因此具有精度高、计算简便、节省计算时间等优势，为变频器供电永磁屏蔽电机的设计和优化提供了参考。包括步骤如下：首先，确定变频器输入功率、变频器损耗、电机定子绕组铜耗和电机定子铁心损耗；其次，建立气隙磁场解析模型和电磁功率计算模型计算电磁功率；最后，利用功率平衡方程，得到变频器供电永磁屏蔽电机的屏蔽套损耗。

本发明授权一种变频器供电永磁屏蔽电机屏蔽套损耗获取方法在权利要求书中公布了：1.一种变频器供电永磁屏蔽电机屏蔽套损耗获取方法，其特征在于：包括步骤如下：首先，确定变频器输入功率、变频器损耗、电机定子绕组铜耗和电机定子铁心损耗；其次，建立气隙磁场解析模型和电磁功率计算模型计算电磁功率；最后，利用功率平衡方程，得到变频器供电永磁屏蔽电机的屏蔽套损耗；所述建立气隙磁场解析模型包括：永磁屏蔽电机气隙磁场为二维平行平面场，求解气隙磁场通过求解极坐标中矢量磁位Az的标量拉普拉斯方程实现，即求解 式中，θ为电机切向方向，r为电机径向方向，为微分算子；永磁屏蔽电机磁场的边界条件如下式： 式中，Hθ为气隙中磁场强度的切向分量，K1和K2分别为定、转子等效电流片的幅值，R1为屏蔽套内半径，R2为转子外半径，t为时间；则气隙中Az的通解表达式为：Az＝Cprp+Dpr-pcosωt-pθ+Eprp+Fpr-pcosωt-pθ-pδ127式中，p为电机极对数，δ12为电机功角，Cp，Dp，Ep，Fp为通解系数，ω为转子角频率；根据边界条件式6获得通解中系数， 式中，μ0为空气磁导率；则气隙中磁场强度的切向分量Hθ为： 气隙中的电场强度只有z轴分量Ez为： 建立所述电磁功率计算模型计算电磁功率包括：电磁功率取决于坡印廷矢量的径向分量Πr：Πr＝E×Hr＝EθHz-EzHθ＝-EzHθ11式中，Eθ为气隙中电场强度切向分量，Hz为气隙中磁场强度的轴向分量；由式9、10和11可得，在气隙的任一半径处，从定子传递到转子的有功功率，即电磁功率Pe为， 式中，l为电机轴向长度。

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