买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜重庆邮电大学申请的专利一种集成双自偏置MOS低关断损耗的RC-LIGBT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114937666B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210517761.9，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权一种集成双自偏置MOS低关断损耗的RC-LIGBT器件是由陈伟中;林徐葳;秦海峰;魏子凯;张红升设计研发完成，并于2022-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成双自偏置MOS低关断损耗的RC-LIGBT器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种集成双自偏置MOS低关断损耗的RC‑LIGBT器件，属于半导体技术领域。本发明的LIGBT器件，具有以下结构及性能特征：1反向导通MOS与低关断损耗MOS均包含N‑base﹑P‑base和N+集电极，金属栅极通过多晶硅层分别与N‑base和N+集电极短接，无需额外栅信号控制。2正向导通时，无负阻效应；反向导通时，当VGS,RCVTH,反向导通MOS自动开启，器件实现反向导通；在关断时刻，器件满足VGS,FCVTH，低关断损耗MOS开启，电子可以通过低关断损耗MOS抽取，减小了关断时间，降低了关断损耗。

本发明授权一种集成双自偏置MOS低关断损耗的RC-LIGBT器件在权利要求书中公布了：1.一种集成双自偏置MOS低关断损耗的RC-LIGBT器件，其特征在于：该器件从左至右分为LIGBT区域、反向导通MOS区域和低关断损耗MOS区域，所述LIGBT区域包括P+发射极1、N+电子发射极2、P-body3、N型漂移区4、二氧化硅绝缘层5、P型衬底6、N型缓冲层7、P+集电极8、集电极12、栅极14、发射极15；反向导通MOS区域：从左至右分别设置N-base11、P-base10、N+集电极9、多晶硅连接层16；所述N-base11的上侧与N型缓冲层7的上侧平齐，左侧被N型缓冲层7完全覆盖，右侧与P-base10的左侧紧密相连，下侧与P+集电极8的上侧紧密相连；P-base10的上侧与N型缓冲层7的上侧平齐，右侧与N+集电极9的左侧紧密相连，下侧与P+集电极8的上侧紧密相连；N+集电极9的上侧与N型缓冲层7的上侧平齐，右侧与器件的右侧紧密相连，下侧与P+集电极8的上侧紧密相连；多晶硅连接层16将N-base11与反向导通MOS的栅极短接，实现了器件的反向导通；低关断损耗MOS区域：从左至右分别设置N-base11、P-base10、N+集电极9、多晶硅层13；所述N-base11的上侧与N型缓冲层7的上侧平齐，左侧被N型缓冲层7完全覆盖，右侧与P-base10的左侧紧密相连，下侧与P+集电极8的上侧紧密相连；P-base10的上侧与N型缓冲层7的上侧平齐，右侧与N+集电极9的左侧紧密相连，下侧与P+集电极8的上侧紧密相连；N+集电极9的上侧与N型缓冲层7的上侧平齐，右侧与器件的右侧紧密相连，下侧与P+集电极8的上侧紧密相连；多晶硅层13将N+集电极9与反向导通MOS的栅极短接，实现了器件的低关断损耗；LIGBT区域：从左至右分别设置P+发射极1、N+电子发射极2、发射极15、P-body3、栅极14、N型漂移区4、二氧化硅绝缘层5、P型衬底6、N型缓冲层7、P+集电极8、集电极12；P+发射极1位于发射极15的下方，其左侧与器件的左侧齐平，右侧与N+电子发射极2的左侧紧密相连，下侧与P-body3相连；N+电子发射极2位于发射极15和栅极14的下方，右侧和下侧被P-body3完全覆盖；P-body3的上侧与P+发射极1和N+电子发射极2的上侧齐平，右侧和下侧被N型漂移区4完全覆盖；N型漂移区4的上侧与P+发射极1、N+电子发射极2、栅极14、N型缓冲层7和P+集电极8的上侧平齐，下侧与二氧化硅绝缘层5的上侧紧密相连，左侧与器件的左侧平齐，右侧与器件右侧平齐；N型缓冲层7的上侧与器件的上侧平齐，右侧与器件的右侧平齐，左侧与下侧被N型漂移区4完全覆盖；P+集电极8位于集电极12的下侧，其上侧与器件的上侧平齐，右侧与器件的右侧平齐，左侧与下侧被N型缓冲层7完全覆盖，上述结构构成LIGBT双极型器件。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人重庆邮电大学，其通讯地址为：400065 重庆市南岸区黄桷垭崇文路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。