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龙图腾网恭喜中国电子科技集团公司第二十九研究所申请的专利一种射频电路三维堆叠结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115064503B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210649622.1，技术领域涉及：H01L23/15；该发明授权一种射频电路三维堆叠结构及其制造方法是由卢茜;张剑;董乐;廖承举;朱晨俊;常文涵;高明起;赵明;叶惠婕;李文设计研发完成，并于2022-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种射频电路三维堆叠结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种射频电路三维堆叠结构及其制造方法，所述制造方法包括：将低介电常数陶瓷与高介电常数陶瓷叠层烧结，形成多层共烧陶瓷基板；在多层共烧陶瓷基板上加工多个不同深度的腔槽；在第三腔槽底部加工金属焊盘；提供转接板和芯片；在转接板下表面焊接芯片；在转接板下表面植微球；在第三腔槽中焊接芯片；将转接板通过微球焊接到多层共烧陶瓷基板上表面；在转接板的上表面焊接芯片。本发明的芯片可通过倒装或信号孔正贴的方式，集成在高密度转接板的两面以及多层共烧陶瓷基板的腔槽中，实现2‑3层芯片堆叠，能够更好的适应射频电路对高密度集成、高质量信号传输以及低剖面厚度的需求。

本发明授权一种射频电路三维堆叠结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种射频电路三维堆叠结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：S10，加工多层共烧陶瓷基板：S11，将已完成通孔金属填充和图形印刷但未加工腔槽的低介电常数陶瓷与高介电常数陶瓷叠层烧结，形成多层共烧陶瓷基板，所述低介电常数陶瓷的介电常数≤6，高介电常数陶瓷的介电常数＞7；所述多层共烧陶瓷基板的下部若干层为高介电常数陶瓷，上部若干层为低介电常数陶瓷；所述腔槽包括用于为转接板下表面的信号孔正贴芯片提供安装空间的第一腔槽，用于为转接板下表面的倒装芯片提供安装空间的第二腔槽，以及用于安装多层共烧陶瓷基板上表面的信号孔正贴芯片的第三腔槽，所述第二腔槽和第三腔槽形成上大下小的阶梯腔；所述图形印刷包括在第一腔槽底部设置整面金属地层；所述通孔金属填充包括在第一腔槽的侧壁内部围绕第一腔槽设置一圈金属化屏蔽孔；S12，在多层共烧陶瓷基板上加工多个不同深度的腔槽；S13，在第三腔槽底部加工金属焊盘；S20，焊接转接板下表面芯片并预置微球：S21，提供加工完成的转接板和芯片；所述芯片包括若干倒装芯片和信号孔正贴芯片；S22，在转接板下表面焊接倒装芯片和信号孔正贴芯片；S23，在转接板下表面植微球；S30，转接板与多层共烧陶瓷基板堆叠：S31，在第三腔槽中焊接倒装芯片；S32，将转接板通过微球焊接到多层共烧陶瓷基板上表面；S33，在转接板的上表面焊接倒装芯片和或信号孔正贴芯片。

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