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恭喜绍兴中芯集成电路制造股份有限公司程仁豪获国家专利权

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龙图腾网恭喜绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件的版图结构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115188757B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210556009.5,技术领域涉及:H10D89/10;该发明授权半导体器件的版图结构是由程仁豪设计研发完成,并于2022-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。

半导体器件的版图结构在说明书摘要公布了:本发明提供了一种半导体器件的版图结构,包括有源区及栅极区,所述栅极区沿第一方向穿过所述有源区,并将所述有源区分为沿第二方向排布在所述栅极区两侧的源区和漏区,当向所述栅极区施加电压时,电场线的方向垂直于所述栅极区的轮廓,由于所述栅极区的轮廓与所述有源区的两个交叠部分均呈弧形,可以分散电场,防止电场集中,减小器件被击穿的风险。

本发明授权半导体器件的版图结构在权利要求书中公布了:1.一种半导体器件的版图结构,其特征在于,包括有源区及栅极区,所述栅极区沿第一方向穿过所述有源区,并将所述有源区分为沿第二方向排布在所述栅极区两侧的源区和漏区,所述栅极区的轮廓与所述有源区的两个交叠部分均呈弧形;还包括若干源极接触孔区及若干漏极接触孔区,所述源极接触孔区均位于所述源区内且沿所述第一方向排布,所述漏极接触孔区均位于所述漏区内且沿所述第一方向排布;以及,相邻所述源极接触孔区的中心的虚拟连线呈弧形且与相近的所述交叠部分的弧形走势一致,相邻所述漏极接触孔区的中心的虚拟连线呈弧形且与相近的所述交叠部分的弧形走势一致。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人绍兴中芯集成电路制造股份有限公司,其通讯地址为:312000 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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