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龙图腾网恭喜东南大学申请的专利一种具有光子晶体反射层结构的发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114883463B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210618153.7，技术领域涉及：H10H20/841；该发明授权一种具有光子晶体反射层结构的发光二极管是由张雄;徐一峰;胡国华;崔一平设计研发完成，并于2022-06-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有光子晶体反射层结构的发光二极管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有光子晶体反射层结构的发光二极管，包括由下而上依次设置的光子晶体反射层、衬底、氮化物缓冲层、n型氮化物层、多量子阱结构、电子阻挡层、p型氮化物层、透明导电层，所述n型氮化物层上设置的n型电极和所述p型氮化物层上设置的p型电极。其中光子晶体反射层由二种金属层和二种氧化物层交替插入组成，本发明通过引入由二种金属层和二种氧化物层交替插入形成的光子晶体反射层结构，能够对光子晶体反射层的光子禁带进行调制，可灵活并且极大地改变光子晶体反射层的反射率与适用波段，从而可实现对LED的较宽连续波段的发射光具有高反射率，因而能够有效地提高LED的发光效率。

本发明授权一种具有光子晶体反射层结构的发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种具有光子晶体反射层结构的发光二极管，其特征在于，包括由下而上依次设置的光子晶体反射层101、衬底102、氮化物缓冲层103、n型氮化物层104、多量子阱结构105、电子阻挡层106、p型氮化物层107和透明导电层108；所述发光二极管还包括n型电极109和p型电极110，n型电极109设置在n型氮化物层104表面，p型电极110设置在透明导电层108上表面；所述的p型氮化物层107的厚度为20～1000nm；p型氮化物层107可采用组分均匀的p型二元氮化物、组分均匀的p型三元氮化物、组分均匀的p型四元氮化物、组分渐变的p型三元氮化物或组分渐变的p型四元氮化物；p型氮化物层107使用Mg元素进行p型掺杂，掺杂形成的空穴浓度为1x1016～1x1019cm-3；所述p型二元氮化物为InN、GaN或AlN；所述p型三元氮化物为AlGaN或InGaN；所述p型四元氮化物为AlInGaN；所述n型氮化物层102的厚度为0.5～5μm；n型氮化物层102可采用组分均匀的n型二元氮化物、组分均匀的n型三元氮化物、组分均匀的n型四元氮化物、组分渐变的n型三元氮化物或组分渐变的n型四元氮化物；其中，n型二元氮化物为InN、GaN或AlN；n型三元氮化物为AlGaN或InGaN；n型四元氮化物为AlInGaN；该n型氮化物层102采用Si元素进行n型掺杂，掺杂形成的电子浓度为1x1017～1x1021cm-3。

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