买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜福建兆元光电有限公司申请的专利一种增大LED芯片刻蚀角度的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115064616B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210624162.7，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种增大LED芯片刻蚀角度的方法是由黄章挺设计研发完成，并于2022-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种增大LED芯片刻蚀角度的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种增大LED芯片刻蚀角度的方法，包括步骤：在外延片上涂抹光刻胶，外延片由生长有外延层的蓝宝石衬底构成；对外延片进行时间为120～130s的前烘；对外延片进行曝光和显影，得到具有预设图形模板的外延片；将显影后的外延片进行时间为170～180s、温度为115～125℃的后烘后，得到具有预设角度的光刻图形的外延片，并进行刻蚀后得到具有预期图形的外延片。本发明通过在现有光刻工艺的基础上，增加前烘时间蒸发光刻胶中的水分，同时保持曝光能量及其时间与显影时间不变、降低后烘温度及延长后烘时间，使光刻胶更加坚固耐刻蚀，保证最终外延片进行刻蚀的光刻图形的预设角度在41°左右，确保最终得到的芯片既能满足工艺对角度的要求又能增大发光面积。

本发明授权一种增大LED芯片刻蚀角度的方法在权利要求书中公布了：1.一种增大LED芯片刻蚀角度的方法，其特征在于，包括步骤：S1、在外延片上涂抹光刻胶，所述外延片由生长有外延层的蓝宝石衬底构成；S2、对所述外延片进行时间为120~130s的前烘，增加前烘时间蒸发光刻胶中的水分；S3、对所述外延片进行曝光和显影，得到具有预设图形模板的所述外延片；S4、将显影后的所述外延片进行时间为170~180s、温度为115~125℃的后烘后，得到具有预设角度的光刻图形的所述外延片，并进行刻蚀后得到具有预期图形的所述外延片，降低后烘温度及延长后烘时间，使光刻胶更加坚固耐刻蚀；所述步骤S3中对所述外延片进行曝光，具体为：将所述外延片放入曝光机中进行能量为18mjcm2、时间为5s的曝光；所述步骤S3中对所述外延片进行显影，具体为：将曝光后的所述外延片进行60~80s的显影。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人福建兆元光电有限公司，其通讯地址为：350109 福建省福州市闽侯县南屿镇生物医药和机电产业园区；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。