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龙图腾网恭喜苏州赛普生物科技股份有限公司申请的专利一种等离子体改性细胞培养板的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114836323B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210656361.6，技术领域涉及：C12M3/00；该发明授权一种等离子体改性细胞培养板的方法是由张胜有;叶竹青设计研发完成，并于2022-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种等离子体改性细胞培养板的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种等离子体改性细胞培养板的方法，包括如下步骤：S1：将细胞培养板放置在等离子表面处理设备中，抽真空，然后通入第一含氟化合物气体，第一含氟化合物气体电离出正负电荷，对细胞培养板进行初步表面疏水改性处理。S2：结束第一含氟化合物气体，向等离子表面处理设备中通入第二含氟化合物气体，第二含氟化合物气体电离出正负电荷，对细胞培养板进行深度表面疏水改性处理。本发明改性方法处理时间短，操作简单，处理效率高，成本较低，能够大规模使用以及生产，能够大大降低细胞培养板的表面能，实现了细胞的低粘附，使得细胞贴壁进一步减少。另外，含氟化合物的含氟基团引入细胞培养板表面之后也不会危害细胞的生长，安全性较高。

本发明授权一种等离子体改性细胞培养板的方法在权利要求书中公布了：1.一种等离子体改性细胞培养板的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：将未经处理的细胞培养板放置在等离子表面处理设备中，抽真空，然后通入第一含氟化合物气体，第一含氟化合物气体在等离子表面处理设备中电离出正负电荷，将含氟基团引入细胞培养板表面，对细胞培养板进行初步表面疏水改性处理；S2：步骤S1结束后，停止通入第一含氟化合物气体，向等离子表面处理设备中通入第二含氟化合物气体，第二含氟化合物气体在等离子表面处理设备中电离出正负电荷，将含氟基团引入细胞培养板表面，对细胞培养板进行深度表面疏水改性处理；所述第一含氟化合物气体为二氟甲烷或三氟甲烷，所述第二含氟化合物气体为四氟化碳；所述细胞培养板为聚苯乙烯、聚丙烯、聚酯、聚碳酸酯、聚乙烯或者高密度聚乙烯材质；步骤S1中，细胞培养板的初步表面疏水改性处理时长为3-7min；步骤S2中，细胞培养板的深度表面疏水改性处理时长为8-12min；步骤S1和步骤S2中，充入第一含氟化合物气体或者第二含氟化合物气体后，真空度为10-20mbar，处理温度为20-40℃，处理功率为600-1800W，气体流量为100-300sccm。

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