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龙图腾网恭喜上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利用于测量对准偏差的测试结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115180588B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210758698.8，技术领域涉及：B81B7/02；该发明授权用于测量对准偏差的测试结构是由王俊杰;徐爱斌设计研发完成，并于2022-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于测量对准偏差的测试结构在说明书摘要公布了：本申请公开了一种用于测量对准偏差的测试结构，包括：硅立方体，其顶层形成有第一键合材料层，其形成于介质薄膜上，介质薄膜形成于第一晶圆上；第二键合材料层，其形成于所述第二晶圆上；其中，从俯视角度观察，测试区域包括中心区域，硅立方体形成于测试区域中的第一区域和第二区域，第一区域中形成有多个硅立方体，第二区域形成有多个硅立方体，第一区域位于中心区域的上方，第二区域位于中心区域的右方，第一区域中的每个硅立方体相互平行，第二区域中的每个硅立方体相互平行，第二键合材料层为矩形。本申请能够通过检测导通的硅立方体对传感器晶圆的对准偏差进行测量，提高了对对准精度的监控的精确度。

本发明授权用于测量对准偏差的测试结构在权利要求书中公布了：1.一种用于测量对准偏差的测试结构，其特征在于，所述测试结构应用于CMOS-MEMS传感器中，所述CMOS-MEMS传感器包括第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆是形成有MEMS器件的晶圆，所述第二晶圆是形成有CMOS器件的晶圆，所述测试结构形成于测试区域中，所述测试结构包括：硅立方体，所述硅立方体的顶层形成有第一键合材料层，所述硅立方体形成于介质薄膜上，所述介质薄膜形成于所述第一晶圆上；第二键合材料层，所述第二键合材料层形成于所述第二晶圆上；其中，从俯视角度观察，所述测试区域包括中心区域，所述硅立方体形成于所述测试区域中的第一区域和第二区域，所述第一区域中形成有多个所述硅立方体，所述第二区域形成有多个所述硅立方体，所述第一区域位于所述中心区域的上方，所述第二区域位于所述中心区域的右方，所述第一区域中的每个所述硅立方体相互平行，所述第二区域中的每个所述硅立方体相互平行，所述第二键合材料层为矩形；当所述第一晶圆和所述第二晶圆键合且对准偏差不符合偏差标准时，所述第二键合材料层与至少一个所述硅立方体顶层的第一键合材料层键合，当所述第一晶圆和所述第二晶圆键合且对准偏差符合所述偏差标准时，所述第二键合材料层不与所述硅立方体顶层的第一键合材料层键合且位于所述中心区域内；所述测试区域还包括第三区域和第四区域，从所述俯视角度观察，所述第三区域位于所述中心区域下方，所述第四区域位于所述中心区域左方，所述第三区域中的每个所述硅立方体相互平行，所述第四区域中的每个所述硅立方体相互平行；从所述俯视角度观察，所述硅立方体为矩形，在所述第一区域、所述第二区域、所述第三区域和所述第四区域内，每个所述硅立方体之间的间距相等，所述第一区域内的硅立方体的长所在的方向与所述第二区域内的硅立方体的长所在的方向相垂直，所述第三区域内的硅立方体的长所在的方向与所述第一区域内的硅立方体的长所在的方向相平行，所述第四区域内的硅立方体的长所在的方向与所述第二区域内的硅立方体的长所在的方向相垂直，所述硅立方体为L型，在所述第一区域、所述第二区域、所述第三区域和所述第四区域内，所述每个硅立方体之间的间距相等。

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