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龙图腾网恭喜上海南芯半导体科技股份有限公司申请的专利一种用于充电芯片的多环路控制电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115085335B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210860023.4，技术领域涉及：H02J7/00；该发明授权一种用于充电芯片的多环路控制电路是由卞坚坚设计研发完成，并于2022-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于充电芯片的多环路控制电路在说明书摘要公布了：本发明属于模拟电路技术领域，具体的说是涉及一种用于充电芯片的多环路控制电路。传统方法，主要问题在于，多环路切换时，原本饱和的环路，需要将运放的输出电压，从饱和的供电电压降低到靠近VC3的中间值，降低的过程中会产生延迟，导致输出产生电压或者电流的过充。本发明通过增加额外的跟随电路，将饱和运放的输出钳位在略大于VC3的值。这样在环路切换的过程中，饱和运放的输出会很快的降低，进行工作，降低输出电压或者电流的过充。

本发明授权一种用于充电芯片的多环路控制电路在权利要求书中公布了：1.一种用于充电芯片的多环路控制电路，包括第一误差放大器、第二误差放大器、模拟选低电路、输出控制电路；第一误差放大器的同相输入接基准电压，其反相输入端接输出反馈电压；第二误差放大器的同相输入端接基准电流，其反相输入端接输出检测电流；第一误差放大器的输出端和第二误差放大器的输出端均接模拟选低电路的输入端，模拟选低电路从第一误差放大器、第二误差放大器的输出中选择较小值作为输出控制电路的输入，输出控制电路根据输入去调节输出电流，实现恒定输出电压或恒定最大输出电流的目的；其特征在于，还包括跟随电路，所述跟随电路的输入为模拟选低电路的输出，跟随电路的输出用于反馈调节第一误差放大器、第二误差放大器的输出；所述跟随电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、电阻、偏置电流源；偏置电流源的输入接电源VDD，输出通过电阻后接第一PMOS管的源极，第一PMOS管的栅极接模拟选低电路的输出，第二PMOS管的源极接偏置电流源的输出；第一NMOS管的漏极接第一PMOS管的漏极，第一NMOS管的栅极接第二PMOS管的漏极，第一NMOS管的源极接地；第二NMOS管的漏极和栅极接第二PMOS管的漏极，第二NMOS管的源极接地；第三NMOS管的漏极和栅极接第一PMOS管的漏极，第三NMOS管的源极接地，第四NMOS管的栅极接第一PMOS管的漏极，第四NMOS管的源极接地；第二PMOS管的栅极、第四NMOS管的漏极连接作为跟随电路的输出，连接第一误差放大器的输出或者第二误差放大器的输出。

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