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龙图腾网恭喜福建兆元光电有限公司申请的专利一种LED芯片及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332416B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210967925.8，技术领域涉及：H10H20/83；该发明授权一种LED芯片及其制造方法是由洪加添;翁晓佩;林展成设计研发完成，并于2022-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种LED芯片及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种LED芯片及其制造方法，将侧腐阻挡层光刻版图形转移至LED芯片层叠结构中的电极的边缘位置；在所述侧腐阻挡层光刻版图形上生长侧腐阻挡层，得到带有侧腐阻挡层的LED芯片层叠结构，制作成的LED芯片包括LED芯片层叠结构、侧腐凹槽和侧腐阻挡层；所述LED芯片层叠结构包括电极，且所述侧腐凹槽位于所述电极的边缘位置；所述侧腐阻挡层填充所述侧腐凹槽，并覆盖所述电极的部分表面，在后续的腐蚀工艺中，只将电极孔上的透明绝缘层去除，能够有效保护电极的边缘，从而防止腐蚀液对电极上的金属铝造成腐蚀，且只在电极的边缘位置形成，不对发光层进行阻挡，不影响原有透明绝缘层所提升的发光效率，保证了LED芯片的工作性能。

本发明授权一种LED芯片及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种LED芯片的制造方法，其特征在于，包括步骤：将侧腐阻挡层光刻版图形转移至LED芯片层叠结构中的电极的边缘位置；在所述侧腐阻挡层光刻版图形上生长侧腐阻挡层，得到带有侧腐阻挡层的LED芯片层叠结构；所述将侧腐阻挡层光刻版图形转移至LED芯片层叠结构中的电极的边缘位置包括：生成环形的侧腐阻挡层光刻版图形，且所述环形的侧腐阻挡层光刻版图形内径与所述电极的直径的差值为第一预设范围，所述环形的侧腐阻挡层光刻版图形外径与所述电极的直径的差值为第二预设范围；在所述LED芯片层叠结构的表面涂覆光刻胶，得到涂覆后的LED芯片层叠结构；使用光刻工艺将所述环形的侧腐阻挡层光刻版图形转移至所述涂覆后的LED芯片层叠结构中的电极的边缘位置；所述在所述侧腐阻挡层光刻版图形上生长侧腐阻挡层，得到带有侧腐阻挡层的LED芯片层叠结构包括：采用低功率的溅射法在所述侧腐阻挡层光刻版图形上生长预设厚度的侧腐阻挡层，所述低功率的溅射法的直流电功率为70~90W，所述低功率的溅射法的射频功率为220~280W；采用去胶工艺去除所述光刻胶，得到带有侧腐阻挡层的LED芯片层叠结构。

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