恭喜中国科学院上海微系统与信息技术研究所贾欣获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种含有双极性压电结构的PMUT器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115347113B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210975358.0，技术领域涉及：H10N30/063；该发明授权一种含有双极性压电结构的PMUT器件及其制备方法是由贾欣;母志强;刘强;周虹阳;俞文杰设计研发完成，并于2022-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种含有双极性压电结构的PMUT器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种含有双极性压电结构的PMUT器件及其制备方法，所述制备方法至少包括：1提供具有空腔的衬底，在所述衬底表面形成底电极层；2在所述底电极层表面形成压电层，所述压电层包括依次形成于所述底电极层表面的第一极性压电层和第二极性压电层；3于所述第二极性压电层表面依次沉积钝化层和顶电极层，并图形化所述顶电极层；4制备所述底电极层和所述顶电极层的电极引出结构。利用本发明的制备方法所获得的PMUT器件中，其压电层为单层双极性膜，具有无过渡区的特点，可以最大化有效工作区域，另外，单层双极性膜的制备工艺简单，开孔数量少，布线面积小，因此，可以使得PMUT的阵列密度大幅提高。
本发明授权一种含有双极性压电结构的PMUT器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种含有双极性压电结构的PMUT器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括：1提供具有空腔的衬底，在所述衬底表面形成底电极层；2在所述底电极层表面形成压电层：在所述底电极层表面形成第一极性压电层；在一临时基底上生长第二极性压电层，将生长有所述第二极性压电层的所述临时基板翻转，使所述第二极性压电层与所述第一极性压电层键合，以使所述第一极性压电层与所述第二极性压电层的界面融为一体，且所述压电层内部无过渡区；所述第一极性压电层和所述第二极性压电层的极性相反；3于所述第二极性压电层表面依次沉积钝化层和顶电极层，并图形化所述顶电极层；4制备所述底电极层和所述顶电极层的电极引出结构。
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