恭喜天津巴莫科技有限责任公司陈德贤获国家专利权
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龙图腾网恭喜天津巴莫科技有限责任公司申请的专利正极活性材料及其制备方法、正极极片、二次电池和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440981B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211035114.0，技术领域涉及：H01M4/62；该发明授权正极活性材料及其制备方法、正极极片、二次电池和电子设备是由陈德贤;王慧敏;李琪;吕菲;徐宁设计研发完成，并于2022-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本正极活性材料及其制备方法、正极极片、二次电池和电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种正极活性材料及其制备方法、正极极片、二次电池和电子设备，正极活性材料包括：氟掺杂的三元正极材料基体；和覆于氟掺杂的三元正极材料基体的至少部分表面的包覆结构，其中，包覆结构包括靠近氟掺杂的三元正极材料基体表面的富铝内包覆层和远离氟掺杂的三元正极材料基体表面的富钛外包覆层。本申请提供的正极活性材料能够提升二次电池的结构稳定性及循环性能。
本发明授权正极活性材料及其制备方法、正极极片、二次电池和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种正极活性材料，其特征在于，包括：氟掺杂的三元正极材料基体；和覆于所述氟掺杂的三元正极材料基体的至少部分表面的包覆结构，其中，所述包覆结构包括相对靠近所述氟掺杂的三元正极材料基体表面的富铝内包覆层和相对远离所述氟掺杂的三元正极材料基体表面的富钛外包覆层；所述氟掺杂的三元正极材料基体的制备步骤包括：对含氟三元前驱体的溶胶与锂盐进行混合处理，进行一次烧结处理；所述包覆结构的制备步骤包括：对所述氟掺杂的三元正极材料基体与含MAX型化合物包覆剂混合处理后，进行二次烧结处理。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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