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龙图腾网恭喜厦门大学;嘉庚创新实验室申请的专利一种显示面板及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115249725B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211043484.9，技术领域涉及：H10H29/30；该发明授权一种显示面板及其制备方法是由张箫巍;黄凯;李金钗;杨旭;张荣设计研发完成，并于2022-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种显示面板及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种显示面板及其制备方法，制备方法包括：提供第一基板，第一基板的一侧有若干间隔的Micro‑LED芯片；提供第二基板，第二基板的一侧表面有若干导电层；在第二基板上形成隔离层，隔离层中有若干开口组，每个开口组均包括暴露出导电层的表面的第一开口和第二开口，第一开口的宽度小于P型电极的宽度，第二开口的宽度小于N型电极的宽度；在第一开口中形成第一键合层，在第二开口中形成第二键合层；以隔离层对芯片本体支撑将P型电极与第一键合层进行键合的同时将N型电极与第二键合层进行键合，P型电极嵌入第一键合层中，N型电极嵌入第二键合层中。所述方法避免Micro‑LED芯片与第一键合层、第二键合层之间键合失效。

本发明授权一种显示面板及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：提供第一基板，所述第一基板的一侧具有若干间隔的Micro-LED芯片，所述Micro-LED芯片包括：芯片本体；P型电极和N型电极，位于所述芯片本体一侧的部分表面；所述芯片本体包括：N型半导体层；位于所述N型半导体层一侧的部分表面的有源层；位于所述有源层背离所述N型半导体层一侧表面的P型半导体层；所述P型电极位于部分所述P型半导体层背离所述有源层的一侧表面；所述N型电极位于有源层、P型半导体层和P型电极的侧部的所述N型半导体层一侧的部分表面；P型半导体层的部分表面没有被P型电极覆盖；提供第二基板，所述第二基板的一侧表面具有若干导电层；在所述第二基板上形成隔离层，所述隔离层的厚度小于或等于所述N型电极与所述P型电极的厚度差的50％，所述隔离层中具有若干开口组，每个开口组均包括间隔的第一开口和第二开口，所述第一开口和第二开口分别暴露出导电层的表面，所述第一开口的宽度大于所述P型电极的宽度，所述第二开口的宽度大于所述N型电极的宽度；在第一开口的侧壁和第一开口周围的隔离层的顶面之间的交界处形成第一斜坡面；在第二开口的侧壁和第二开口周围的隔离层的顶面之间的交界处形成第二斜坡面；与第一斜坡面连接的隔离层的顶面和所述第一斜坡面之间具有第一夹角；tan180°-θ1μ1，θ1为第一夹角，μ1为第一斜坡面的摩擦系数，与第二斜坡面连接的隔离层的顶面和所述第二斜坡面之间具有第二夹角；tan180°-θ2μ2；θ2为第二夹角，μ2为第二斜坡面的摩擦系数；在第一开口中形成第一键合层，在第二开口中形成第二键合层，所述第一键合层和所述第二键合层的材料为导电胶；以所述隔离层对所述芯片本体支撑，所述隔离层对所述P型电极周围的P型半导体层为支撑，将所述P型电极与所述第一键合层进行键合的同时将所述N型电极与所述第二键合层进行键合，所述P型电极嵌入第一键合层中，所述N型电极嵌入第二键合层中；将所述P型电极与第一键合层、所述N型电极与第二键合层进行键合的过程中，采用的绑定设备具有特征对位精度；所述第一开口的宽度大于或等于所述P型电极的宽度与2倍的所述特征对位精度之和，所述第二开口的宽度大于或等于所述N型电极与2倍的所述特征对位精度之和。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人厦门大学;嘉庚创新实验室，其通讯地址为：361005 福建省厦门市思明区思明南路422号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。