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龙图腾网恭喜北京航天控制仪器研究所申请的专利一种带微流道封装基板及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115497896B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211059112.5，技术领域涉及：H01L23/473；该发明授权一种带微流道封装基板及其制备方法是由邢朝洋;李男男;阎璐;赵雪薇;孙鹏;徐宇新设计研发完成，并于2022-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种带微流道封装基板及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种带微流道封装基板及其制备方法，所述带微流道封装基板包括硅基板和位于硅基板上表面的布线层；硅基板包括键合连接的上层硅片、中间层玻璃片和下层硅片；上层硅片、下层硅片和中间层玻璃片具有相互连通的区域，形成密封的流道结构，下层硅片的下方加工有连通密封流道结构的入口和出口；上层硅片和下层硅片的TSV结构相对，中间层玻璃片上加工有纵向通孔结构，形成对应TSV结构的接触窗口，接触窗口内表面制备有图形化电极互联线；TSV结构和互联电极结构实现电信号的垂直互连，布线层实现X和Y方向电信号的平面互连。本发明制备的硅基封装基板可以在上、下表面布线，同时满足集成微系统三维电互联和芯片散热需求。

本发明授权一种带微流道封装基板及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种带微流道封装基板，其特征在于，包括硅基板15和布线层18；所述硅基板15包括键合连接的上层硅片7、中间层玻璃片10和下层硅片8，两硅片上带有对应的TSV结构3；上层硅片7、下层硅片8和中间层玻璃片10具有相互连通的区域，形成密封的流道结构14，下层硅片8的下方加工有流道入口19和流道出口20连通至密封流道结构14；上层硅片7和下层硅片8的TSV结构相对，中间层玻璃片10上加工有纵向通孔结构，形成对应TSV结构的接触窗口12，接触窗口12内表面制备有图形化电极互联线13，上层硅片7和下层硅片8的TSV结构与电极互联线13实现电信号的垂直互连；所述布线层18位于硅基板15的上表面，包括内侧的绝缘层结构16及外侧的电互连线结构17，布线层18用于实现电信号的平面互连。

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