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龙图腾网恭喜京东方科技集团股份有限公司申请的专利传感器的阵列基板母板、阵列基板及制作方法、压电器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115566027B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211155520.0，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权传感器的阵列基板母板、阵列基板及制作方法、压电器件是由王超璐;关峰;崔钊;曹永刚设计研发完成，并于2022-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本传感器的阵列基板母板、阵列基板及制作方法、压电器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种传感器的阵列基板母板、阵列基板及制作方法、压电器件，阵列基板母板包括阵列基板区和围绕阵列基板区的周边区，阵列基板区包括衬底基板和多组薄膜晶体管，每组薄膜晶体管至少包括复位薄膜晶体管、开关薄膜晶体管、信号放大薄膜晶体管和读取薄膜晶体管；在远离衬底基板的方向设置多个ITO搭接块；每个ITO搭接块均与复位薄膜晶体管或开关薄膜晶体管的源极或漏极电连接；阵列基板区的周边区设有多个位于衬底基板第一侧的极化pad；ITO搭接块与极化pad电连接并接地；阵列基板区还包括沿远离衬底基板方向依次设置的压电层和发射电极，压电层和发射电极覆盖感应区的薄膜晶体管，发射电极用于与高压电源电连接，以对压电层极化。

本发明授权传感器的阵列基板母板、阵列基板及制作方法、压电器件在权利要求书中公布了：1.一种传感器的阵列基板母板，其特征在于，包括阵列基板区和围绕所述阵列基板区的周边区；所述阵列基板区包括衬底基板和设于所述衬底基板第一侧且位于感应区的多组薄膜晶体管，每组所述薄膜晶体管至少包括电连接的复位薄膜晶体管、开关薄膜晶体管、信号放大薄膜晶体管和读取薄膜晶体管；在远离所述衬底基板的方向设置有沿所述阵列基板区的长度方向和宽度方向阵列排布的多个ITO搭接块，所述ITO搭接块覆盖各组所述薄膜晶体管的至少部分；每个所述ITO搭接块均与所述复位薄膜晶体管或所述开关薄膜晶体管的源极或漏极电连接；所述阵列基板区的周边区设有多个位于所述衬底基板第一侧的极化pad；接收或发出信号相同的感应区子区域所对应的所述ITO搭接块相互电连接后，再与靠近该感应区的子区域的所述极化pad通过导电走线电连接并接地；或者，每组所述薄膜晶体管的ITO搭接块单独与靠近该组所述薄膜晶体管的所述极化pad通过所述导电走线电连接并接地；所述阵列基板区还包括沿远离所述衬底基板方向依次设置的压电层和发射电极，所述压电层和所述发射电极覆盖所述感应区的多组薄膜晶体管，所述发射电极用于与高压电源电连接，以对所述压电层极化。

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