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龙图腾网恭喜中航光电华亿(沈阳)电子科技有限公司申请的专利压力传感器芯体及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115452235B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211242917.3，技术领域涉及：G01L7/08；该发明授权压力传感器芯体及其制作方法是由谭佳欢;高志强;钟海;张海峰设计研发完成，并于2022-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本压力传感器芯体及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供的一种压力传感器芯体及其制作方法，涉及压力传感器技术领域，以在一定程度上优化压力传感器内部结构，提高芯体的功能和特性。本发明提供的压力传感器芯体,包括基座、硅压阻芯片、引脚组件、金属球以及封接组件；基座上形成有弹性体，弹性体上开设有容纳槽，且弹性体背离容纳槽的一侧形成有凸台，硅压阻芯片设置于容纳槽内；基座上还形成有多个定位孔，其中一个定位孔用于连接金属球，引脚组件设置于其他定位孔内；弹性体上还形成有溅射薄膜敏感元件、补偿电阻、引线电极以及引线，溅射薄膜敏感元件通过引线与引线电极和补偿电阻以及引脚组件相连接；封接组件与基座的一端相连接，形成灌注腔。

本发明授权压力传感器芯体及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种压力传感器芯体，其特征在于，包括基座、硅压阻芯片、引脚组件、金属球以及封接组件；所述基座上形成有弹性体，所述弹性体上开设有容纳槽，且所述弹性体背离所述容纳槽的一侧形成有凸台，所述硅压阻芯片设置于所述容纳槽内；所述基座上还形成有多个定位孔，其中一个所述定位孔用于连接所述金属球，所述引脚组件设置于其他所述定位孔内；所述弹性体上还形成有溅射薄膜敏感元件、补偿电阻、引线电极以及引线，所述引线电极用于桥接所述硅压阻芯片和所述引脚组件，所述溅射薄膜敏感元件通过所述引线与所述引线电极和所述补偿电阻以及所述引脚组件相连接；通过所述引线分别将所述硅压阻芯片和所述溅射薄膜敏感元件与所述引脚组件连接，构成两个独立的惠斯顿测量电桥；所述封接组件与所述基座的一端相连接，形成灌注腔。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中航光电华亿(沈阳)电子科技有限公司，其通讯地址为：110000 辽宁省沈阳市经济技术开发区开发大路27-14号(全部)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。