恭喜集美大学许望颖获国家专利权
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龙图腾网恭喜集美大学申请的专利一种S掺杂的高K氧化物介电薄膜及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513062B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211281620.8，技术领域涉及：H01L21/445；该发明授权一种S掺杂的高K氧化物介电薄膜及其制备方法与应用是由许望颖;张子豪;彭涛设计研发完成，并于2022-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种S掺杂的高K氧化物介电薄膜及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开的一种S掺杂的高K氧化物介电薄膜及其制备方法与应用，所述制备方法通过S掺杂能改善高K氧化物介电薄膜在偏压下低频电容增大幅度，抑制了电容频率依赖特性，减少了薄膜中的游离态H+含量，使得对应TFT器件的性能稳定性提高；同时，能改善溶液法制备的介电薄膜的介电性能，使得薄膜更为致密以及缺陷态减少。并且，S掺杂到高K氧化物介电薄膜中，一是填补了薄膜中的氧空位，二是消除了大量的羟基，连接金属氧骨架，这使得薄膜变得更加致密，可产生的游离态氢离子含量也随之减少，避免额外电容的产生。
本发明授权一种S掺杂的高K氧化物介电薄膜及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种S掺杂的高K氧化物介电薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：将硝酸盐溶于水中，并进行搅拌制得硝酸盐溶液；向所述硝酸盐溶液中加入硫酸水溶液，制得前驱体溶液；提供衬底，并对所述衬底进行清洗、吹干、等离子体处理；将所述前驱体溶液涂覆在等离子体处理后的衬底的表面，并进行预退火处理；最后进行终退火处理，制得S掺杂的高K氧化物介电薄膜；所述前驱体溶液的浓度为1.0～2.0molL；所述前驱体溶液中S元素占S和金属离子总和的摩尔百分比a为0a≤24at％。
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