恭喜电子科技大学潘忻强获国家专利权
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龙图腾网恭喜电子科技大学申请的专利一种可直接实现权重差分的无源忆阻交叉阵列器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115605026B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211288678.5，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权一种可直接实现权重差分的无源忆阻交叉阵列器件是由潘忻强;谢琴;罗文博;帅垚;吴传贵;张万里;杨旭东;刘雨婷;王杰军设计研发完成，并于2022-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种可直接实现权重差分的无源忆阻交叉阵列器件在说明书摘要公布了：本发明属于电子器件领域，具体涉及一种可直接实现权重差分的无源忆阻交叉阵列器件。本发明基于缺陷分布对阻变方向进行调控，发明了一种新的无源忆阻交叉阵列器件，通过对忆阻交叉阵列中相邻两行忆阻单元输入相反极性的读电压直接进行权重差分。本发明大幅降低了外围电路的复杂度，不再需要依赖减法电路进行权重差分；同时，也不再依赖三极管进行多阻态设置，通过不同的外部电压脉冲刺激，可分别在相反的读电压下读取多个稳定且可区分的电阻状态，进一步降低了外围电路的复杂度，这使得整个系统的能耗将进一步降低。本发明大幅降低了整个神经网络计算过程的能耗，可直接用于后续基于忆阻器的神经网络计算中。
本发明授权一种可直接实现权重差分的无源忆阻交叉阵列器件在权利要求书中公布了：1.一种可直接实现权重差分的无源忆阻交叉阵列器件，由m×n个忆阻单元构成阵列，其特征在于：m为行方向，21≤m，n为列方向，20≤n，同一行的忆阻单元结构相同，相邻两行忆阻单元的结构不同，两种结构不同的忆阻单元分别为忆阻单元1和忆阻单元2，忆阻单元1和忆阻单元2具有方向相反的阻变特性和自整流特性；通过在忆阻单元的上电极下电极分别对应连接于信号发生器的正极负极，接受信号发生器发出的电压脉冲：忆阻单元1，在正偏压下，展现出阻变特性，整体的电流-电压特性展现出在负向整流的特性；忆阻单元2，具有与忆阻单元1相反的阻变特性，在负偏压下，表现出阻变特性，整体的电流-电压特性展现出在正向整流的特性。
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