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龙图腾网恭喜深圳达人高科电子有限公司申请的专利自锁电路及对应的BMS电池保护板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115800453B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211548341.3，技术领域涉及：H02J7/00；该发明授权自锁电路及对应的BMS电池保护板是由王政雄;蒋忠伟;陈金雁;尹斌设计研发完成，并于2022-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本自锁电路及对应的BMS电池保护板在说明书摘要公布了：本发明提供一种自锁电路及对应的BMS电池保护板，该自锁电路包括供电模块、延时使能模块、开关模块、系统电源模块、微控模块。供电模块用于产生供电电压，延时使能模块用于产生使能信号。开关模块可接收供电电压，基于使能信号驱动开关模块导通，开关模块用于将供电电压输出于系统电源模块。系统电源模块对供电电压进行降压操作，系统电源模块可生成系统电源电压。微控模块基于系统电源电压进行供电，并且微控模块基于系统电源电压生成反馈信号。延时使能模块基于反馈信号产生使能信号，使能模块还包括延时单元。当微控模块正常工作时，延时单元基于供电电压存储能量。当微控模块异常复位时，延时单元释放能量从而对使能信号进行延时操作。

本发明授权自锁电路及对应的BMS电池保护板在权利要求书中公布了：1.一种自锁电路，其特征在于，其包括：供电模块，用于产生供电电压；延时使能模块，用于产生使能信号；开关模块，接收所述供电电压，基于所述使能信号驱动所述开关模块导通，所述开关模块用于将所述供电电压输出于系统电源模块；所述系统电源模块，用于对所述供电电压进行降压操作，以生成系统电源电压；微控模块，用于基于所述系统电源电压进行供电，并将基于所述系统电源电压生成反馈信号；其中，所述延时使能模块基于所述反馈信号产生所述使能信号，所述使能模块还包括延时单元，当所述微控模块正常工作时，所述延时单元基于所述供电电压存储能量，当所述微控模块异常复位时，所述延时单元释放能量，从而对所述使能信号进行延时操作；所述延时单元包括驱动子单元、储能子单元、使能子单元，所述驱动子单元用于驱动所述储能子单元和所述使能子单元，所述储能子单元用于存储能量和释放能量，所述使能子单元用于输出使能信号；当所述驱动子单元接收到所述反馈信号时，所述驱动子单元所述使能子单元导通，所述使能子单元输出所述使能信号，并且所述驱动子单元驱动所述储能子单元存储能量；当所述驱动子单元未接收到所述反馈信号时，所述储能子单元释放能量驱动所述使能子单元导通，所述使能子单元输出所述使能信号；所述驱动子单元包括第一三极管、第二三极管，第一三极管的型号为MMBT5551，第二三极管的型号为MMBT5401，所述第一三极管的基极连接所述延时使能模块的输入端，所述第一三极管的基极用于接收所述反馈信号，所述第一三极管的集电极连接供电模块，所述第一三极管的发射极接地；第二三极管的基极连接所述第一三极管的集电极，所述第二三极管的发射极连接所述供电模块，所述第二三极管的集电极接地；所述使能子单元包括第一MOS管，所述第一MOS管的栅极连接所述第二三极管的集电极连接；所述第一MOS管的源极用于输出使能信号，所述第一MOS管的源极连接接地；所述储能子单元包括储能电容、充电电阻和放电电阻，所述储能电容的一端连接所述第一MOS管的栅极，所述储能电容的另一端接地；所述充电电阻的一端连接所述第二三极管的集电极，所述充电电阻的另一端连接所述储能电容；所述放电电阻的一端连接储能电容，所述放电电阻的另一端接地，所述充电电阻的阻值为100KΩ，所述放电电阻的阻值为2MΩ，所述储能电容的容抗为0.1μF。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳达人高科电子有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市龙华区观澜街道桂花社区佳怡工业园5号厂房401；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。