恭喜拓荆科技股份有限公司郑意获国家专利权
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龙图腾网恭喜拓荆科技股份有限公司申请的专利半导体器件及其薄膜沉积装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116005138B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211598687.4，技术领域涉及：C23C16/505；该发明授权半导体器件及其薄膜沉积装置及方法是由郑意;野沢俊久;许嘉毓;娄文博;李健;陈新益设计研发完成，并于2022-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其薄膜沉积装置及方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件的薄膜沉积装置、一种半导体器件、一种半导体器件的薄膜沉积方法以及一种计算机可读存储介质。该半导体器件的薄膜沉积装置包括反应腔、射频发生器、可调电容及控制器，其中，控制器被配置为：确定对半导体器件进行薄膜沉积时的目标能量密度；根据目标能量密度及射频发生器的射频频率，调节可调电容的电容值，以使沉积功率、射频时间及反应腔中的沉积压力匹配目标能量密度；以及基于目标能量密度的工艺条件，对半导体器件进行薄膜沉积。
本发明授权半导体器件及其薄膜沉积装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的薄膜沉积装置，其特征在于，包括反应腔、射频发生器、可调电容及控制器，其中，所述控制器被配置为：确定对所述半导体器件进行薄膜沉积的目标能量密度，其中，所述目标能量密度为预设的沉积功率、预设的射频时间以及所述反应腔中的预设的沉积压力三者的乘积；根据所述目标能量密度以及所述射频发生器的射频频率，调节所述可调电容的电容值，以使沉积功率、射频时间及所述反应腔中的沉积压力匹配所述目标能量密度；以及基于所述目标能量密度的工艺条件，对所述半导体器件进行薄膜沉积。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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